| SIA433EDJ-T1-GE3 | |
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| 部品型番 | SIA433EDJ-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6 |
| スポットストック | 33730 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
| ECADモデル | |
| ドキュメント | SIA433EDJ-T1-GE3.pdf |
| SIA433EDJ-T1-GE3 Price |
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| SIA433EDJ-T1-GE3技術情報 | |||
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| ブランドのモデル名 | SIA433EDJ-T1-GE3 | プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
| メーカー | Vishay / Siliconix | 説明 | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | スポットストック | 33730 pcs |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | Vgs（最大） | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| シリーズ | TrenchFET® | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18 mOhm @ 7.6A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 75nC @ 8V | FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
| ダウンロードセンター | SIA433EDJ-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
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