製品モデル

FDA28N50F

紹介

高効率な電力管理アプリケーション向けに設計されたNチャネル500V 28A MOSFET。

ブランドと製造元

AMIセミコンダクター / ONセミコンダクター

機能

500Vまでの高電圧能力。25°Cでの連続ドレイン電流28A。効率を最大化するための低いRds(on)値175mΩ。310Wの高いパワー拡散。簡単な設置のためのスルーホールマウント。

製品性能

-55°Cから150°Cの温度範囲で効果的に動作。10Vでのゲートチャージ105nCをサポート。25Vでの入力キャパシタンス5387pF。最適なRds Onのためのドライブ電圧10V。

技術仕様

FETタイプ: Nチャネル。ドレイン・ソース間電圧(Vdss): 500V。25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 28A。Rds On (最大) @ Id, Vgs: 175mΩ。Vgs(th) (最大) @ Id: 5V。ゲートチャージ(Qg) (最大) @ Vgs: 105nC。入力キャパシタンス(Ciss) (最大) @ Vds: 5387pF。ドライブ電圧 (最大Rds On, 最小Rds On): 10V。

寸法、形状、およびパッケージング

パッケージ / ケース: TO-3P-3, SC-65-3。サプライヤーデバイスポ包: TO-3PN。包装: チューブ。

品質と信頼性

鉛フリーでRoHS準拠。湿気感受性レベル(MSL): 1（無制限）。

製品の利点

要求の厳しいアプリケーションに対応する高電圧および電流能力。低いオン抵抗が電力損失を削減。

製品の競争力

6週間の競争力のあるリードタイム。信頼性と性能に定評のあるUniFETシリーズの一部。

互換性

標準のスルーホール取り付け手順に互換性あり。

標準認証とコンプライアンス

鉛フリー状況 / RoHS状況: 鉛フリー / RoHS準拠。

寿命と持続可能性

広範な動作温度範囲に適した産業用途向けの耐久性のある構造。

実際の応用分野

電源装置。モーター制御。インバータ回路。スイッチング電源。

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