FDD4141
部品型番 FDD4141
メーカー onsemi
説明 MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
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FDD4141技術情報
ブランドのモデル名 FDD4141 プロダクト  
メーカー onsemi 説明 MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
パッケージ TO-252AA スポットストック 4000 pcs
同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 250µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
シリーズ PowerTrench® 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
電力消費(最大) 2.4W (Ta), 69W (Tc) パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR) 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2775 pF @ 20 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 50 nC @ 10 V FETタイプ P-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 40 V 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10.8A (Ta), 50A (Tc)
基本製品番号 FDD414  
ダウンロードセンターFDD4141 PDF - EN.pdf

製品モデル

FDD4141

紹介

パワースイッチングアプリケーション向けに設計されたPチャネルMOSFET

ブランドと製造元

AMIセミコンダクター / ONセミコンダクター

機能

PチャネルMOSFET

最適化された性能のためのPowerTrench技術

低オン抵抗

高い電力消散能力

最小ゲートチャージ

製品性能

Taでの連続ドレイン電流は10.8A、Tcでの最大は50A

Taでの高い電力消散は2.4W、Tcでは69W

高いスイッチング速度での効率的な動作

-55°Cから150°Cの動作温度範囲に適している

技術仕様

ドレイン-ソース電圧(Vdss)は40V

Rds On(最大)は12.3mΩ

ゲートチャージ(Qg)は50nC

入力静電容量(Ciss)は2775pF

駆動電圧要件は4.5Vから10V

寸法、形状、およびパッケージング

TO-252-3, DPAK (2リード + タブ), SC-63パッケージ

表面実装構成

カットテープ(CT)でパッケージング

品質と信頼性

環境安全のため鉛フリー / RoHS準拠

高い信頼性のための湿気感受性レベル(MSL) 1

製品の利点

高い電流処理能力

強化された熱管理

低熱インピーダンス

製品の競争力

量産向けの競争力のある価格設定

エネルギー効率的な設計に最適化

導通およびスイッチング損失の低減

互換性

表面実装技術(SMT)アセンブリに適している

産業標準フットプリントに適合

標準認証とコンプライアンス

環境基準に対するRoHS準拠

規制要件を満たすための鉛フリー

寿命と持続可能性

指定された条件下での長い運用寿命

実際の応用分野

電力管理アプリケーション

スイッチングレギュレーター

パワーインバータ

モータードライブ

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