| FDD6685 | |
|---|---|
| 部品型番 | FDD6685 |
| メーカー | onsemi |
| 説明 | MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252 |
| スポットストック | 8040 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
| ECADモデル | |
| ドキュメント | 1.FDD6685.pdf2.FDD6685.pdf3.FDD6685.pdf4.FDD6685.pdf5.FDD6685.pdf6.FDD6685.pdf |
| FDD6685 Price |
オンライン問い合わせ or Email us: Info@ariat-tech.com |
| FDD6685技術情報 | |||
|---|---|---|---|
| ブランドのモデル名 | FDD6685 | プロダクト | |
| メーカー | onsemi | 説明 | MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252 |
| パッケージ | TO-252AA | スポットストック | 8040 pcs |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | Vgs（最大） | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
| シリーズ | PowerTrench® | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 11A, 10V |
| 電力消費（最大） | 52W (Ta) | パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1715 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 5 V | FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| 基本製品番号 | FDD668 | ||
| ダウンロードセンター | FDD6685 PDF - EN.pdf | ||
製品モデル
FDD6685
紹介
高性能PチャンネルMOSFET
ブランドと製造元
AMIセミコンダクター / ONセミコンダクター
機能
PチャンネルMOSFET
低Rds（オン）で高効率
最適な電力密度のためのPowerTrench技術
製品性能
動作温度範囲: -55°Cから175°C
定格電流: 25°C周囲で11A、ケース温度で40A
技術仕様
MOSFET技術
Vdss（ドレインからソースまでの電圧）: 30V
Rdsオン: 11A、10Vで20mΩ
ゲートチャージ: 5Vで24nC
寸法、形状、およびパッケージング
DPak TO-252-3表面実装パッケージ
パッケージ: カットテープ（CT）
品質と信頼性
湿気感受性レベル（MSL）1
鉛フリー / RoHS準拠の環境基準
製品の利点
優れた熱性能
高い電流密度を維持
製品の競争力
電力管理アプリケーションに最適化
互換性
表面実装互換
駆動電圧: 4.5Vから10V
標準認証とコンプライアンス
鉛フリー / RoHS準拠
寿命と持続可能性
長期信頼性のための堅牢な設計
効率的な電力変換により製品寿命を延ばす
実際の応用分野
電源回路
負荷スイッチアプリケーション
コンバーターおよびインバーターシステム
私達に電子メールを送りなさい：Info@Ariat-Tech.comかRFQ FDD6685オンライン。
| FDD6685在庫 | FDD6685価格 | FDD6685エレクトロニクス | |||
| FDD6685コンポーネント | FDD6685インベントリ | FDD6685 Digikey | |||
| サプライヤーFDD6685 | FDD6685をオンラインで注文する | お問い合わせFDD6685 | |||
| FDD6685画像 | FDD6685の写真 | FDD6685 PDF | |||
| FDD6685データシート | FDD6685データシートをダウンロード | メーカー | |||
| FDD6685関連モデル | |||||
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| ピクチャ | 部品型番 | 説明 | メーカー | 見積もりを入手する | |
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FDD6685 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | Fairchild Semiconductor | ||
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