FDG6332C
部品型番 FDG6332C
メーカー onsemi
説明 MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
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FDG6332C技術情報
ブランドのモデル名 FDG6332C プロダクト  
メーカー onsemi 説明 MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
パッケージ SC-88 (SC-70-6) スポットストック 11000 pcs
同上@ VGS(TH)(最大) 1.5V @ 250µA 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SC-88 (SC-70-6) シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 300mOhm @ 700mA, 4.5V 電力 - 最大 300mW
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 113pF @ 10V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 1.5nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 700mA, 600mA コンフィギュレーション N and P-Channel
基本製品番号 FDG6332  
ダウンロードセンターFDG6332C PDF - EN.pdf

製品モデル

FDG6332C

紹介

MOSFETアレイ NチャネルおよびPチャネル 20V 700mA, 600mA

ブランドと製造元

AMIセミコンダクター / ONセミコンダクター

機能

NチャネルおよびPチャネル

ロジックレベルゲート

表面実装技術

鉛フリー

RoHS準拠

製品性能

ドレインとソース間電圧: 20V

連続ドレイン電流: 700mA (Nチャネル), 600mA (Pチャネル)

Rds on (最大): 300 mΩ @ 700mA, 4.5V

ゲートチャージ (Qg) (最大): 1.5nC @ 4.5V

入力キャパシタンス (Ciss) (最大): 113pF @ 10V

技術仕様

最大電力: 300mW

出力電圧: PowerTrench

Vgs(th) (最大) @ Id: 1.5V @ 250µA

寸法、形状、およびパッケージング

6-TSSOP, SC-88, SOT-363パッケージ

供給デバイスパッケージ: SC-70-6

梱包: テープおよびリール (TR)

品質と信頼性

湿気感度レベル (MSL): 1 (無制限)

製品の利点

PowerTrench技術による高効率

低オン抵抗

高い熱性能

製品の競争力

クラス内での堅牢な性能指標を持つ競争力のある価格設定

互換性

ロジックレベルアプリケーションとの互換性

標準認証とコンプライアンス

鉛フリー

RoHS準拠

寿命と持続可能性

さまざまな環境での長期使用を目的とした耐久性のある設計

実際の応用分野

電力管理、スイッチング、増幅アプリケーションに使用され、消費者エレクトロニクス、自動車、産業システムなど多くの分野で活用

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