N01L83W2AN25I | |
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部品型番 | N01L83W2AN25I |
メーカー | onsemi |
説明 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I |
スポットストック | 3084 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | 1.N01L83W2AN25I.pdf2.N01L83W2AN25I.pdf3.N01L83W2AN25I.pdf4.N01L83W2AN25I.pdf |
N01L83W2AN25I Price |
オンライン問い合わせ or Email us: Info@ariat-tech.com |
N01L83W2AN25I技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | N01L83W2AN25I | プロダクト | 集積回路 (ic) |
メーカー | onsemi | 説明 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I |
パッケージ | 32-sTSOP I | スポットストック | 3084 pcs |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 55ns | 電源電圧 - | 2.3V ~ 3.6V |
技術 | SRAM - Asynchronous | サプライヤデバイスパッケージ | 32-sTSOP I |
シリーズ | - | パッケージ/ケース | 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) |
パッケージ | Tray | 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount | メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 1Mbit | メモリ組織 | 128K x 8 |
メモリインタフェース | Parallel | メモリ形式 | SRAM |
基本製品番号 | N01L83 | アクセス時間 | 55 ns |
ダウンロードセンター | N01L83W2AN25I PDF - EN.pdf |
N01L83W2AN25I
揮発性SRAMメモリーチップ
onsemi
揮発性メモリタイプ
非同期SRAMテクノロジー
並列メモリインターフェース
メモリサイズ:1Mbit
メモリ構成:128K x 8
書き込みサイクルタイム:55ns
アクセス時間:55ns
電源電圧範囲:2.3V ~ 3.6V
動作温度範囲:-40°C ~ 85°C
表面実装型
32-LFSOPパッケージ
パッケージ寸法:幅11.80mm
高品質なパフォーマンスを設計
陳腐化状況が示す高い信頼性の可能性(レガシーシステム向け)
高速操作に最適化
幅広い供給電圧に対応
高速書き込みとアクセス時間が求められるアプリケーション向けに特化
並列インターフェースSRAMを要求するシステムに適合
標準的な電子パッケージと組立プロセスへの準拠
拡張された動作温度範囲が耐久性をサポート
注:製品は陳腐化しているため、持続可能性に制限があります
高速メモリアクセスを要求するさまざまな電子機器に適合
注:実際の分野は陳腐化状況により制限される可能性があります
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