NUP4106DR2G
部品型番 NUP4106DR2G
メーカー onsemi
説明 TVS DIODE 3.3VWM 15VC 8-SOIC
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NUP4106DR2G技術情報
ブランドのモデル名 NUP4106DR2G プロダクト  
メーカー onsemi 説明 TVS DIODE 3.3VWM 15VC 8-SOIC
パッケージ 8-SOIC スポットストック 15000 pcs
電圧 - 逆スタンドオフ(標準) 3.3V 電圧 - クランプ(最大)@IP 15V
電圧 - ブレークダウン(最小) 5V 単方向チャネル 4
タイプ Steering (Rail to Rail) サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ - 電力線保護 Yes
パワー - ピークパルス 500W パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR) 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 電流 - ピークパルス(10 /1000μs) 25A (8/20µs)
静電容量@周波数 8pF @ 1MHz 基本製品番号 NUP4106
アプリケーション General Purpose  
ダウンロードセンターNUP4106DR2G PDF - EN.pdf

製品モデル

NUP4106DR2G

紹介

NUP4106DR2Gは、システムインダクタンス、雷、静電気放電によって引き起こされる電圧トランジェントから敏感な電子機器を保護するために設計されたトランジェント電圧サプレッサ(TVS)ダイオードです。

ブランドと製造元

onsemi

機能

ステアリング(レール・トゥ・レール)TVSタイプ

4つの単方向チャンネル

電源ライン保護

一般用途向け

1MHzでの低キャパシタンス:8pF

製品性能

逆立ち電圧:3.3V

ブレークダウン電圧(最小):5V

クランプ電圧(最大)@Ipp:15V

ピークパルス電流:25A(8/20µs)

ピークパルスパワー:500W

技術仕様

電圧 逆立ち(典型):3.3V

電圧 ブレークダウン(最小):5V

電流 ピークパルス(10/1000µs):25A(8/20µs)

Power Peak Pulse:500W

キャパシタンス@周波数:1MHzでの8pF

動作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

寸法、形状、およびパッケージング

マウントタイプ:表面実装

パッケージ/ケース:8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)

パッケージング:テープ&リール(TR)

サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC

品質と信頼性

NUP4106DR2Gは、信頼性の高い性能と耐久性を保証する高品質の電子部品で知られるonsemiによって製造されています。

製品の利点

小型パッケージで高いピークパルス電力能力(500W)

効果的なトランジェント電圧抑制によるシステムの信頼性向上

高速インターフェース保護に適した低出力キャパシタンス

製品の競争力

小型フットプリントで効率的かつ信頼性の高いTVS保護を必要とするアプリケーションにおいて競争上の優位性を提供

高いピークパルス電力能力と低いキャパシタンスの組み合わせにより、高度な電子システムに非常に望ましい

互換性

イーサネット、HDMI、USBなどのトランジェント電圧抑制を必要とするさまざまな電子機器アプリケーションに対応。

標準認証とコンプライアンス

この製品は、TVSダイオードの標準業界規格に準拠しており、幅広いアプリケーションにおける互換性と信頼性を確保しています。

寿命と持続可能性

-55°Cから150°Cの広範囲な温度での長期的な信頼性を考慮して設計されており、アプリケーションでの耐久性と持続可能性を確保します。

実際の応用分野

データライン保護(イーサネット、USB、HDMI)

コンシューマーエレクトロニクス(スマートフォン、PC、テレビ)

工業制御

ネットワーキング機器

ポータブルデバイス

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