LM5109BSD/NOPB
部品型番 LM5109BSD/NOPB
メーカー N/A
説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON
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ECADモデル
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LM5109BSD/NOPB技術情報
ブランドのモデル名 LM5109BSD/NOPB プロダクト 集積回路 (ic)
メーカー N/A 説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON
パッケージ 8-WSON (4x4) スポットストック 3244 pcs
電源電圧 - 8V ~ 14V サプライヤデバイスパッケージ 8-WSON (4x4)
シリーズ - 立上り/立下り時間(Typ) 15ns, 15ns
パッケージ/ケース 8-WDFN Exposed Pad パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -40°C ~ 125°C (TJ) 入力周波数 2
装着タイプ Surface Mount ロジック電圧 - VIL、VIH 0.8V, 2.2V
入力タイプ Non-Inverting ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 108 V
ゲートタイプ N-Channel MOSFET 駆動構成 Half-Bridge
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 1A, 1A ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) Independent
基本製品番号 LM5109  
ダウンロードセンターLM5109BSD/NOPB PDF - EN.pdf

製品モデル

LM5109BSD/NOPB

紹介

高電圧半両振りドライバー

ブランドと製造元

テキサス・インスツルメンツ

機能

独立した半両振りドライバー、N-チャネルMOSFETゲート用、半両振り構成で2つのMOSFETを駆動、非反転入力、最大電流源/シンク: 1A/1A、強化されたブートストラップ機能、ブートストラップの高電圧最大: 108V

製品性能

8Vから14Vの電源電圧で動作、論理電圧レベル: VIL 0.8V、VIH 2.2V、典型的な立ち上がり/立ち下がり時間: 15ns/15ns、過温度保護用のサーマルシャットダウン

技術仕様

高電圧 - 最大 (ブートストラップ): 108V、電源電圧: 8V ~ 14V、論理電圧 - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V、最大電流 - 出力 (ソース、シンク): 1A, 1A、立ち上がり/立ち下がり時間 (典型的): 15ns, 15ns

寸法、形状、およびパッケージング

表面実装 WDFN-8 エクスポージャーパッド、供給デバイスパッケージ: 8-WSON (4x4)、表面実装技術(SMT)製造用テープ&リールで梱包

品質と信頼性

動作温度範囲: -40°C から 125°C (TJ)、堅牢な熱特性

製品の利点

コンパクトなWDFN-8パッケージでスペースを節約、ブートストラップ構成での高電圧駆動機能、低伝搬遅延、高速スイッチングに最適化

製品の競争力

高密度電力変換に最適、自動車および工業用アプリケーション向け設計

互換性

標準N-チャネルMOSFETと互換性あり

標準認証とコンプライアンス

業界標準に準拠

寿命と持続可能性

長期的な信頼性を目指した設計

実際の応用分野

自動車システム、スイッチング電源、DC/DCコンバーター、モーター制御、パワーインバーター

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