M29W800DT-70N6
部品型番 M29W800DT-70N6
メーカー ST
説明 M29W800DT-70N6 ST
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M29W800DT-70N6技術情報
ブランドのモデル名 M29W800DT-70N6 プロダクト 集積回路 (ic)
メーカー ST 説明 M29W800DT-70N6 ST
パッケージ スポットストック 2982 pcs
パッケージ TSSOP New Original Stock
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製品モデル

M29W800DT-70N6

紹介

高速データストレージ用に設計されたフラッシュメモリデバイス

ブランドと製造元

STマイクロエレクトロニクス(ST)

機能

- トップブートブロックセクタアーキテクチャ

- 70nsのアクセス時間

- 低消費電力

- プログラムおよび消去速度の最適化

- ハードウェアブロック保護

製品性能

- 10,000回の書き込み/消去サイクルの高い信頼性

- プログラミング時間:典型的にバイトあたり10µs

- セクタ消去時間:典型的に1秒の高い粒度

技術仕様

- 8 Mbit容量(1M x 8または512K x 16)

- ブートブロックセクタサイズ:16 Kbytes

- 供給電圧:3.0~3.6V

- 高速リードアクセス時間

寸法、形状、およびパッケージング

- TSOP48パッケージ

- 薄型デザインと軽量

品質と信頼性

- 拡張オペレーティング温度範囲

- 固有のデータ保持機能

製品の利点

- コード/データの分離のための柔軟なセクタアーキテクチャ

- セキュアなコードストレージ用のトップブートブロック

製品の競争力

- 自動車、産業、コンピューティング市場において非常に競争力がある

互換性

- フラッシュメモリのJEDEC規格に準拠

標準認証とコンプライアンス

- RoHSおよびJEDEC規格に準拠

寿命と持続可能性

- 最大20年間の長期データ保持

実際の応用分野

- 自動車電子機器

- PCやハイテクデバイスにおけるブートコードストレージ

- デジタル消費者電子機器

- 産業制御システム

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