M29W800DT-70N6 | |
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部品型番 | M29W800DT-70N6 |
メーカー | ST |
説明 | M29W800DT-70N6 ST |
スポットストック | 2982 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | |
M29W800DT-70N6 Price |
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M29W800DT-70N6技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | M29W800DT-70N6 | プロダクト | 集積回路 (ic) |
メーカー | ST | 説明 | M29W800DT-70N6 ST |
パッケージ | スポットストック | 2982 pcs | |
パッケージ | TSSOP | 州 | New Original Stock |
品質保証 | 100% Perfect Functions | 納期 | 2-3days after payment. |
お支払い方法 | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union | 配送方法 | DHL / Fedex / UPS |
ポート | HongKong | オンライン相談 | |
ダウンロードセンター | M29W800DT-70N6 PDF - EN.pdf |
M29W800DT-70N6
高速データストレージ用に設計されたフラッシュメモリデバイス
STマイクロエレクトロニクス(ST)
- トップブートブロックセクタアーキテクチャ
- 70nsのアクセス時間
- 低消費電力
- プログラムおよび消去速度の最適化
- ハードウェアブロック保護
- 10,000回の書き込み/消去サイクルの高い信頼性
- プログラミング時間:典型的にバイトあたり10µs
- セクタ消去時間:典型的に1秒の高い粒度
- 8 Mbit容量(1M x 8または512K x 16)
- ブートブロックセクタサイズ:16 Kbytes
- 供給電圧:3.0~3.6V
- 高速リードアクセス時間
- TSOP48パッケージ
- 薄型デザインと軽量
- 拡張オペレーティング温度範囲
- 固有のデータ保持機能
- コード/データの分離のための柔軟なセクタアーキテクチャ
- セキュアなコードストレージ用のトップブートブロック
- 自動車、産業、コンピューティング市場において非常に競争力がある
- フラッシュメモリのJEDEC規格に準拠
- RoHSおよびJEDEC規格に準拠
- 最大20年間の長期データ保持
- 自動車電子機器
- PCやハイテクデバイスにおけるブートコードストレージ
- デジタル消費者電子機器
- 産業制御システム
M29W800DT-70N6在庫 | M29W800DT-70N6価格 | M29W800DT-70N6エレクトロニクス | |||
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サプライヤーM29W800DT-70N6 | M29W800DT-70N6をオンラインで注文する | お問い合わせM29W800DT-70N6 | |||
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ピクチャ | 部品型番 | 説明 | メーカー | 見積もりを入手する | |
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M29W800DT | M29W800DT XILINX | XILINX | ||
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M29W800DB90N1 | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | Micron Technology Inc. | ||
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M29W800DT45N6E | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | Micron Technology Inc. | ||
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M29W800DB90N6T | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP | STMicroelectronics | ||
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M29W800DT45N6F TR | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | Micron Technology Inc. | ||
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M29W800DB70ZE6E | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | Micron Technology Inc. | ||
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M29W800DT70M6 | ST | |||
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M29W800DB70ZE6F | MICRON | |||
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M29W800DT70N1 | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | Micron Technology Inc. | ||
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M29W800DT-70N1 | M29W800DT-70N1 ST | ST | ||
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