CY7C1312BV18-250BZC | |
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部品型番 | CY7C1312BV18-250BZC |
メーカー | Infineon Technologies |
説明 | IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
スポットストック | 2810 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | 1.CY7C1312BV18-250BZC.pdf2.CY7C1312BV18-250BZC.pdf3.CY7C1312BV18-250BZC.pdf |
CY7C1312BV18-250BZC Price |
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CY7C1312BV18-250BZC技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | CY7C1312BV18-250BZC | プロダクト | 集積回路 (ic) |
メーカー | Cypress Semiconductor | 説明 | IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
パッケージ | 165-FBGA (13x15) | スポットストック | 2810 pcs |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | 電源電圧 - | 1.7V ~ 1.9V |
技術 | SRAM - Synchronous, QDR II | サプライヤデバイスパッケージ | 165-FBGA (13x15) |
シリーズ | - | パッケージ/ケース | 165-LBGA |
パッケージ | Tray | 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount | メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 18Mbit | メモリ組織 | 1M x 18 |
メモリインタフェース | Parallel | メモリ形式 | SRAM |
クロック周波数 | 250 MHz | 基本製品番号 | CY7C1312 |
ダウンロードセンター | CY7C1312BV18-250BZC PDF - EN.pdf |
CY7C1312BV18-250BZC
同期式SRAMメモリチップ
Infineon Technologies
揮発性メモリ、同期QDR II SRAM技術、高クロック周波数対応
18Mbitのメモリサイズ、1M x 18のメモリ構成、並列メモリインターフェース、最大250MHzのクロック周波数
SRAM - 同期、QDR II、メモリインターフェース - 並列
表面実装 165-LBGA、サプライヤデバイスパッケージ 165-FBGA (13x15)
高速動作向け設計、動作温度範囲 0°C ~ 70°C (TA) 内での安定性
高速アクセスタイム、低レイテンシ
高速アプリケーション向け
並列インターフェース、様々なロジックレベルとの互換性
SRAMの標準業界仕様を満たす
指定条件下での長期動作を目的とした設計
高性能コンピューティングおよびネットワークシステムで使用
CY7C1312BV18-250BZC在庫 | CY7C1312BV18-250BZC価格 | CY7C1312BV18-250BZCエレクトロニクス |
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サプライヤーCY7C1312BV18-250BZC | CY7C1312BV18-250BZCをオンラインで注文する | お問い合わせCY7C1312BV18-250BZC |
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