CY7C1312BV18-250BZC
部品型番 CY7C1312BV18-250BZC
メーカー Infineon Technologies
説明 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
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ECADモデル
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CY7C1312BV18-250BZC技術情報
ブランドのモデル名 CY7C1312BV18-250BZC プロダクト 集積回路 (ic)
メーカー Cypress Semiconductor 説明 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
パッケージ 165-FBGA (13x15) スポットストック 2810 pcs
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ - 電源電圧 - 1.7V ~ 1.9V
技術 SRAM - Synchronous, QDR II サプライヤデバイスパッケージ 165-FBGA (13x15)
シリーズ - パッケージ/ケース 165-LBGA
パッケージ Tray 運転温度 0°C ~ 70°C (TA)
装着タイプ Surface Mount メモリタイプ Volatile
記憶容量 18Mbit メモリ組織 1M x 18
メモリインタフェース Parallel メモリ形式 SRAM
クロック周波数 250 MHz 基本製品番号 CY7C1312
ダウンロードセンターCY7C1312BV18-250BZC PDF - EN.pdf

製品モデル

CY7C1312BV18-250BZC

紹介

同期式SRAMメモリチップ

ブランドと製造元

Infineon Technologies

機能

揮発性メモリ、同期QDR II SRAM技術、高クロック周波数対応

製品性能

18Mbitのメモリサイズ、1M x 18のメモリ構成、並列メモリインターフェース、最大250MHzのクロック周波数

技術仕様

SRAM - 同期、QDR II、メモリインターフェース - 並列

寸法、形状、およびパッケージング

表面実装 165-LBGA、サプライヤデバイスパッケージ 165-FBGA (13x15)

品質と信頼性

高速動作向け設計、動作温度範囲 0°C ~ 70°C (TA) 内での安定性

製品の利点

高速アクセスタイム、低レイテンシ

製品の競争力

高速アプリケーション向け

互換性

並列インターフェース、様々なロジックレベルとの互換性

標準認証とコンプライアンス

SRAMの標準業界仕様を満たす

寿命と持続可能性

指定条件下での長期動作を目的とした設計

実際の応用分野

高性能コンピューティングおよびネットワークシステムで使用

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