CY62187G30-55BAXI
部品型番 CY62187G30-55BAXI
メーカー Infineon Technologies
説明 IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48FBGA
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CY62187G30-55BAXI技術情報
ブランドのモデル名 CY62187G30-55BAXI プロダクト 集積回路 (ic)
メーカー Cypress Semiconductor 説明 IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48FBGA
パッケージ 48-FBGA (8x9.5) スポットストック 1100 pcs
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 55ns 電源電圧 - 2.2V ~ 3.6V
技術 SRAM - Asynchronous サプライヤデバイスパッケージ 48-FBGA (8x9.5)
シリーズ MoBL® パッケージ/ケース 48-LFBGA
パッケージ Tray 運転温度 -40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ Surface Mount メモリタイプ Volatile
記憶容量 64Mbit メモリ組織 4M x 16
メモリインタフェース Parallel メモリ形式 SRAM
基本製品番号 CY62187 アクセス時間 55 ns

製品モデル

CY62187G30-55BAXI

紹介

高密度64メガビット静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)

ブランドと製造元

インフィニオン・テクノロジーズ

機能

メモリタイプ:可変型

SRAM技術:非同期

メモリサイズ:64Mbit

メモリ構成:4M x 16

インターフェース:並列メモリインターフェース

マウントタイプ:表面実装

シリーズ:MoBL®シリーズ(モバイル向け)

製品性能

書き込みクロックタイム:55ns(単語、ページ)

アクセスタイム:55ns

供給電圧:2.2V~3.6V

技術仕様

パッケージ:LFBGA-48

構成:4M x 16

サプライヤーデバイスパッケージ:48-FBGA(8x9.5)

シリーズ:MoBL®

寸法、形状、およびパッケージング

パッケージサイズ:8mm x 9.5mm FBGA

パッケージ/ケース:48-LFBGA

パッケージング:トレイパッケージ

品質と信頼性

動作温度範囲:-40℃~+85℃

製品の利点

低消費電力アプリケーションに最適化

高速アクセスおよび書き込みクロックタイム

製品の競争力

インフィニオンの高品質かつ信頼性のある製品で知られている

高速コンピューティングアプリケーションのニーズを満たす

互換性

SYFTE020:組み込みシステム設計における汎用使用

標準認証とコンプライアンス

業界標準のSRAMに準拠

寿命と持続可能性

広範な読み書きサイクルにわたり耐久性があり信頼性が高い

実際の応用分野

組み込みシステム、ポータブル電子機器、自動車電子機器

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