2N7002E-7-F | |
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部品型番 | 2N7002E-7-F |
メーカー | Diodes Incorporated |
説明 | MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 |
スポットストック | 10040 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | 1.2N7002E-7-F.pdf2.2N7002E-7-F.pdf3.2N7002E-7-F.pdf4.2N7002E-7-F.pdf5.2N7002E-7-F.pdf |
2N7002E-7-F Price |
オンライン問い合わせ or Email us: Info@ariat-tech.com |
2N7002E-7-F技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | 2N7002E-7-F | プロダクト | |
メーカー | Diodes Incorporated | 説明 | MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 |
パッケージ | SOT-23-3 | スポットストック | 10040 pcs |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 |
シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3Ohm @ 250mA, 10V |
電力消費(最大) | 370mW (Ta) | パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 50 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 0.22 nC @ 4.5 V | FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 250mA (Ta) |
基本製品番号 | 2N7002 | ||
ダウンロードセンター | 2N7002E-7-F PDF - EN.pdf |
2N7002E-7-F
汎用アプリケーション向けのNチャネルMOSFET
ダイオード社 (Diodes Incorporated)
Nチャネル強化型電界効果トランジスタ
低オン抵抗
高速スイッチング
低しきい値電圧
動作温度範囲: -55°Cから150°C
高電流能力
低ゲートチャージ
金属酸化物半導体FET技術
ドレイン-ソース電圧: 60V
連続ドレイン電流: 250mA
SOT-23-3, TO-236-3, SC-59パッケージ
効率的な組み立てのためのテープ&リール (TR)
長寿命のための堅牢な構造
エネルギー効率が高い
コンパクトな形状
競争力のある価格と性能
多様な回路構成での使用が可能
鉛フリー / RoHS準拠
長期間使用を考慮した設計
電力管理
負荷スイッチング
ロジックレベル変換
2N7002E-7-F在庫 | 2N7002E-7-F価格 | 2N7002E-7-Fエレクトロニクス | |||
2N7002E-7-Fコンポーネント | 2N7002E-7-Fインベントリ | 2N7002E-7-F Digikey | |||
サプライヤー2N7002E-7-F | 2N7002E-7-Fをオンラインで注文する | お問い合わせ2N7002E-7-F | |||
2N7002E-7-F画像 | 2N7002E-7-Fの写真 | 2N7002E-7-F PDF | |||
2N7002E-7-Fデータシート | 2N7002E-7-Fデータシートをダウンロード | メーカーDiodes Incorporated |
2N7002E-7-F関連モデル | |||||
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ピクチャ | 部品型番 | 説明 | メーカー | 見積もりを入手する | |
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2N7002DWT1G | 2N7002DWT1G ON | ON | ||
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2N7002E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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2N7002E-G | 2N7002E-G MITSUBISHI | MITSUBISHI | ||
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2N7002E-T1 | 2N7002E-T1 SI | SI | ||
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2N7002E-7-G | MOSFET N-CH 60V SOT23 | Diodes Incorporated | ||
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2N7002E,215 | MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23 | NXP USA Inc. | ||
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2N7002E | N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | ||
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2N7002DW_R1_000A1 | 2N7002DW_R1_000A1 PANJIT | PANJIT | ||
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2N7002E-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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2N7002E-7 | DIODES SOT-23 | DIODES | ||
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2N7002E,215 | MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB | Nexperia USA Inc. | ||
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2N7002E-T/R | PANJIT SOT-23 | PANJIT | ||
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2N7002E-T1-E3 MOS | VISHAY SOT23-3 | VISHAY | ||
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2N7002E MOS | YESSHIN SOT-23 | YESSHIN | ||
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2N7002E-7-F-79 | DIODE | Diodes Incorporated | ||
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2N7002E | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 | Vishay Siliconix | ||
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2N7002E-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 | Vishay Siliconix | ||
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2N7002E | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 | Panasonic Electronic Components | ||
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2N7002E-7-F IC | DIODES SOT-23-3 | DIODES | ||
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2N7002E T/R | 2N7002E T/R PANJIT | PANJIT |
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