ZXM62P02E6TA | |
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部品型番 | ZXM62P02E6TA |
メーカー | Diodes Incorporated |
説明 | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
スポットストック | 10280 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | 1.ZXM62P02E6TA.pdf2.ZXM62P02E6TA.pdf3.ZXM62P02E6TA.pdf4.ZXM62P02E6TA.pdf |
ZXM62P02E6TA Price |
オンライン問い合わせ or Email us: Info@ariat-tech.com |
ZXM62P02E6TA技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | ZXM62P02E6TA | プロダクト | |
メーカー | Diodes Incorporated | 説明 | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
パッケージ | SOT-23-6 | スポットストック | 10280 pcs |
同上@ VGS(TH)(最大) | 700mV @ 250µA (Min) | Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-6 |
シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 200mOhm @ 1.6A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.1W (Ta) | パッケージ/ケース | SOT-23-6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 320 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.8 nC @ 4.5 V | FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.7V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.3A (Ta) |
基本製品番号 | ZXM62P02 | ||
ダウンロードセンター | ZXM62P02E6TA PDF - EN.pdf |
ZXM62P02E6TA
PチャネルMOSFETトランジスタ
ダイオード社
金属酸化物半導体FET技術
PチャネルFETタイプ
高出力発散能力
低オン抵抗
高速スイッチングによる効率向上
温度範囲-55°Cから150°Cでの安定した動作
表面実装SOT-23-6パッケージ
25°C周囲温度における連続ドレイン電流2.3A
低しきい値電圧
ドレイン-ソース間電圧:20V
オン抵抗:200mΩ
ゲートしきい値電圧:700mV
ゲートチャージ:5.8nC
入力容量:320pF
ドライブ電圧範囲:2.7Vから4.5V
最大ゲート電圧:±12V
SOT-23-6パッケージ
テープ&リールで供給
指定された温度範囲内での信頼性の高い動作
効率的な電力管理
省スペース設計
カテゴリー内で競争力のあるPチャネルMOSFETデバイス
標準SMT組立プロセスに互換性あり
適用される基準を満たす(具体的な認証は提供されていません)
電子機器での長期間使用に設計
消費者向け電子機器、通信、産業用途の電力管理に適している
ZXM62P02E6TA在庫 | ZXM62P02E6TA価格 | ZXM62P02E6TAエレクトロニクス | |||
ZXM62P02E6TAコンポーネント | ZXM62P02E6TAインベントリ | ZXM62P02E6TA Digikey | |||
サプライヤーZXM62P02E6TA | ZXM62P02E6TAをオンラインで注文する | お問い合わせZXM62P02E6TA | |||
ZXM62P02E6TA画像 | ZXM62P02E6TAの写真 | ZXM62P02E6TA PDF | |||
ZXM62P02E6TAデータシート | ZXM62P02E6TAデータシートをダウンロード | メーカーDiodes Incorporated |
ZXM62P02E6TA関連モデル | |||||
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ピクチャ | 部品型番 | 説明 | メーカー | 見積もりを入手する | |
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