ZXM62P02E6TA
部品型番 ZXM62P02E6TA
メーカー Diodes Incorporated
説明 MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
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ECADモデル
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ZXM62P02E6TA技術情報
ブランドのモデル名 ZXM62P02E6TA プロダクト  
メーカー Diodes Incorporated 説明 MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
パッケージ SOT-23-6 スポットストック 10280 pcs
同上@ VGS(TH)(最大) 700mV @ 250µA (Min) Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-6
シリーズ - 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
電力消費(最大) 1.1W (Ta) パッケージ/ケース SOT-23-6
パッケージ Tape & Reel (TR) 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 320 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 5.8 nC @ 4.5 V FETタイプ P-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.7V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.3A (Ta)
基本製品番号 ZXM62P02  
ダウンロードセンターZXM62P02E6TA PDF - EN.pdf

製品モデル

ZXM62P02E6TA

紹介

PチャネルMOSFETトランジスタ

ブランドと製造元

ダイオード社

機能

金属酸化物半導体FET技術

PチャネルFETタイプ

高出力発散能力

低オン抵抗

高速スイッチングによる効率向上

製品性能

温度範囲-55°Cから150°Cでの安定した動作

表面実装SOT-23-6パッケージ

25°C周囲温度における連続ドレイン電流2.3A

低しきい値電圧

技術仕様

ドレイン-ソース間電圧:20V

オン抵抗:200mΩ

ゲートしきい値電圧:700mV

ゲートチャージ:5.8nC

入力容量:320pF

ドライブ電圧範囲:2.7Vから4.5V

最大ゲート電圧:±12V

寸法、形状、およびパッケージング

SOT-23-6パッケージ

テープ&リールで供給

品質と信頼性

指定された温度範囲内での信頼性の高い動作

製品の利点

効率的な電力管理

省スペース設計

製品の競争力

カテゴリー内で競争力のあるPチャネルMOSFETデバイス

互換性

標準SMT組立プロセスに互換性あり

標準認証とコンプライアンス

適用される基準を満たす(具体的な認証は提供されていません)

寿命と持続可能性

電子機器での長期間使用に設計

実際の応用分野

消費者向け電子機器、通信、産業用途の電力管理に適している

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