MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | |
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部品型番 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
メーカー | Kaga FEI America, Inc. |
説明 | IC FRAM 512KBIT I2C 3.4MHZ 8SOP |
スポットストック | 2578 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | 1.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf2.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf3.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf4.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf5.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Price |
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MB85RC512TPNF-G-JNERE1技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | プロダクト | 集積回路 (ic) |
メーカー | Fujitsu Electronics America, Inc. | 説明 | IC FRAM 512KBIT I2C 3.4MHZ 8SOP |
パッケージ | 8-SOP | スポットストック | 2578 pcs |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | 電源電圧 - | 1.8V ~ 3.6V |
技術 | FRAM (Ferroelectric RAM) | サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
シリーズ | - | パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount | メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 512Kbit | メモリ組織 | 64K x 8 |
メモリインタフェース | I²C | メモリ形式 | FRAM |
クロック周波数 | 3.4 MHz | 基本製品番号 | MB85RC512 |
アクセス時間 | 130 ns | ||
ダウンロードセンター | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 PDF - EN.pdf |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1
強誘電体ランダムアクセスメモリ(FRAM)
富士通エレクトロニクスアメリカ株式会社
不揮発性メモリ技術、高速データ読み出しと書き込み、低消費電力、書き込みアクセスの遅延なし
10^12回の読み書きサイクル耐久性、+85°Cでのデータ保持期間10年、高速シリアル2線インターフェースI2C
メモリサイズ:512Kb(64K x 8)、メモリタイプ:FRAM、速度:3.4MHz、メモリフォーマット:FRAM、供給電圧:1.8 V ~ 3.6 V、動作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
パッケージ/ケース:8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)、メーカー包装:8-SOP、パッケージ:テープ&リール(TR)、サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
鉛フリー・RoHS準拠、産業用途における高い信頼性
即時の不揮発性ストレージ、データ保持にバッテリー不要
長寿命のバッテリーライフを実現する低消費電力、堅牢な動作温度範囲、高頻度アクセス向けの高い読み書き耐久性
IC、ほとんどのマイクロコントローラーとの簡単な統合が可能な2線シリアルインターフェース
RoHS規制に完全準拠
高温下でのデータ保持期間最大10年、バッテリー不要で環境にやさしい
産業自動化、計測および測定システム、医療機器、車載電子機器、データロギングシステム
MB85RC512TPNF-G-JNERE1在庫 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1価格 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1エレクトロニクス |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1コンポーネント | MB85RC512TPNF-G-JNERE1インベントリ | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Digikey |
サプライヤーMB85RC512TPNF-G-JNERE1 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1をオンラインで注文する | お問い合わせMB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
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