MB85RC512TPNF-G-JNERE1
部品型番 MB85RC512TPNF-G-JNERE1
メーカー Kaga FEI America, Inc.
説明 IC FRAM 512KBIT I2C 3.4MHZ 8SOP
スポットストック 2578 pcs new original in stock.
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ECADモデル
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MB85RC512TPNF-G-JNERE1技術情報
ブランドのモデル名 MB85RC512TPNF-G-JNERE1 プロダクト 集積回路 (ic)
メーカー Fujitsu Electronics America, Inc. 説明 IC FRAM 512KBIT I2C 3.4MHZ 8SOP
パッケージ 8-SOP スポットストック 2578 pcs
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ - 電源電圧 - 1.8V ~ 3.6V
技術 FRAM (Ferroelectric RAM) サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
シリーズ - パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR) 運転温度 -40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ Surface Mount メモリタイプ Non-Volatile
記憶容量 512Kbit メモリ組織 64K x 8
メモリインタフェース I²C メモリ形式 FRAM
クロック周波数 3.4 MHz 基本製品番号 MB85RC512
アクセス時間 130 ns  
ダウンロードセンターMB85RC512TPNF-G-JNERE1 PDF - EN.pdf

製品モデル

MB85RC512TPNF-G-JNERE1

紹介

強誘電体ランダムアクセスメモリ(FRAM)

ブランドと製造元

富士通エレクトロニクスアメリカ株式会社

機能

不揮発性メモリ技術、高速データ読み出しと書き込み、低消費電力、書き込みアクセスの遅延なし

製品性能

10^12回の読み書きサイクル耐久性、+85°Cでのデータ保持期間10年、高速シリアル2線インターフェースI2C

技術仕様

メモリサイズ:512Kb(64K x 8)、メモリタイプ:FRAM、速度:3.4MHz、メモリフォーマット:FRAM、供給電圧:1.8 V ~ 3.6 V、動作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

寸法、形状、およびパッケージング

パッケージ/ケース:8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)、メーカー包装:8-SOP、パッケージ:テープ&リール(TR)、サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP

品質と信頼性

鉛フリー・RoHS準拠、産業用途における高い信頼性

製品の利点

即時の不揮発性ストレージ、データ保持にバッテリー不要

製品の競争力

長寿命のバッテリーライフを実現する低消費電力、堅牢な動作温度範囲、高頻度アクセス向けの高い読み書き耐久性

互換性

IC、ほとんどのマイクロコントローラーとの簡単な統合が可能な2線シリアルインターフェース

標準認証とコンプライアンス

RoHS規制に完全準拠

寿命と持続可能性

高温下でのデータ保持期間最大10年、バッテリー不要で環境にやさしい

実際の応用分野

産業自動化、計測および測定システム、医療機器、車載電子機器、データロギングシステム

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