| BSZ086P03NS3E G | |
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| 部品型番 | BSZ086P03NS3E G |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 説明 | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies |
| スポットストック | 2500 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
| ECADモデル | |
| ドキュメント | BSZ086P03NS3E G.pdf |
| BSZ086P03NS3E G Price |
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| BSZ086P03NS3E G技術情報 | |||
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| ブランドのモデル名 | BSZ086P03NS3E G | プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 説明 | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies |
| パッケージ | TSDSON8 | スポットストック | 2500 pcs |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.1V @ 105µA | Vgs（最大） | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 |
| シリーズ | OptiMOS™ | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.6 mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4785pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 57.5nC @ 10V | FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
| ダウンロードセンター | BSZ086P03NS3E G PDF - EN.pdf | ||
製品モデル
BSZ086P03NS3E G
紹介
電力管理アプリケーション向けに設計された高性能PチャネルMOSFET
ブランドと製造元
インターナショナルレクティファイア（インフィニオンテクノロジーズ）
機能
高効率MOSFET技術 低Rds(on)による導通損失の削減 OptiMOSシリーズによる電力密度の向上 環境持続可能性に配慮した無鉛およびRoHS適合
製品性能
温度範囲は-55°Cから150°Cまで動作 高連続ドレイン電流最大40Aをサポート Tcでの69Wの電力損失による高い熱性能
技術仕様
金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ（MOSFET）技術 30Vドレイン-ソース電圧（Vdss） 20A、10Vでの8.6mΩ Rds On 105Aでの3.1Vゲートしきい値電圧（Vgs(th)） 10Vでの57.5nCゲートチャージ（Qg） 15Vでの4785pF入力容量（Ciss）
寸法、形状、およびパッケージング
パッケージタイプ：8-PowerTDFN サプライヤデバイスポート：PG-TSDSON-8 自動組立用にテープ＆リール（TR）で供給
品質と信頼性
厳格な品質テストを通じた実証済みの信頼性
製品の利点
エネルギーに敏感な回路向けの電力効率 高密度電力設計に適した性能
製品の競争力
クラス内で競争力のあるRds(on) 効率が重要なスイッチングアプリケーション向けに最適化
互換性
標準の自動製造プロセスとのサーフェスマウント互換
標準認証とコンプライアンス
グローバル環境基準に適合した無鉛およびRoHS認証
寿命と持続可能性
堅牢な設計により持続的な性能のための長い運用寿命を確保
実際の応用分野
電源供給の調整 DC-DC変換 モーター制御と駆動 バッテリーマネジメントシステム コンピューティングおよびテレコムの電力管理
私達に電子メールを送りなさい：Info@Ariat-Tech.comかRFQ BSZ086P03NS3E Gオンライン。
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| サプライヤーBSZ086P03NS3E G | BSZ086P03NS3E Gをオンラインで注文する | お問い合わせBSZ086P03NS3E G |
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