| IPB107N20N3 G | |
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| 部品型番 | IPB107N20N3 G |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 説明 | IPB107N20N3 G Infineon Technologies |
| スポットストック | 32984 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
| ECADモデル | |
| ドキュメント | |
| IPB107N20N3 G Price |
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| IPB107N20N3 G技術情報 | |||
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| ブランドのモデル名 | IPB107N20N3 G | プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 説明 | IPB107N20N3 G Infineon Technologies |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | スポットストック | 32984 pcs |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 270µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-2 |
| シリーズ | OptiMOS™ | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.7 mOhm @ 88A, 10V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7100pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 87nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200V | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 88A (Tc) |
| ダウンロードセンター | IPB107N20N3 G PDF - EN.pdf | ||
製品モデル
IPB107N20N3 G
紹介
高性能NチャネルMOSFET
ブランドと製造元
インターナショナルレクティファイア（インフィニオンテクノロジーズ）
機能
高電流能力、低Rdsオン、高電圧閾値、高速スイッチング最適化
製品性能
25°Cにおいて連続ドレイン電流88A、高出力放熱300Wまで対応
技術仕様
MOSFETテクノロジー、200Vドレイン-ソース電圧（Vdss）、10Vで88Aの時のRdsオンが10.7mΩ、100Vでの入力容量(Ciss)が7100pF
寸法、形状、およびパッケージング
TO-263-3、DPak（2リード＋タブ）、TO-263ABパッケージ、PG-TO263-2サプライヤデバイスポート、テープ＆リール（TR）製造業者パッケージ
品質と信頼性
鉛フリー・RoHS適合、-55°Cから175°Cまでの動作温度範囲
製品の利点
効率的な電力変換、熱抵抗の低減
製品の競争力
高速スイッチングアプリケーション向けに最適化
互換性
表面実装タイプ、標準的な電力環境に対応
標準認証とコンプライアンス
RoHS適合
寿命と持続可能性
長期信頼性を考慮して設計
実際の応用分野
電源ユニット、DC-DCコンバータ、モータードライブ、自動車アプリケーション、再生可能エネルギーシステム
私達に電子メールを送りなさい：Info@Ariat-Tech.comかRFQ IPB107N20N3 Gオンライン。
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