IPB60R600C6ATMA1
部品型番 IPB60R600C6ATMA1
メーカー Infineon Technologies
説明 MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
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IPB60R600C6ATMA1技術情報
ブランドのモデル名 IPB60R600C6ATMA1 プロダクト  
メーカー Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 説明 MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
パッケージ PG-TO263-3 スポットストック 2618 pcs
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 200µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
シリーズ CoolMOS™ C6 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 600mOhm @ 2.4A, 10V
電力消費(最大) 63W (Tc) パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR) 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 440 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 20.5 nC @ 10 V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7.3A (Tc)
基本製品番号 IPB60R  
ダウンロードセンターIPB60R600C6ATMA1 PDF - EN.pdf
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