| IPB80N06S2L07ATMA3 | |
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| 部品型番 | IPB80N06S2L07ATMA3 |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| スポットストック | 2565 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
| ECADモデル | |
| ドキュメント | 1.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf2.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf3.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf |
| IPB80N06S2L07ATMA3 Price |
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| IPB80N06S2L07ATMA3技術情報 | |||
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| ブランドのモデル名 | IPB80N06S2L07ATMA3 | プロダクト | |
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 説明 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| パッケージ | PG-TO263-3-2 | スポットストック | 2565 pcs |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 150µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
| シリーズ | OptiMOS™ | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.7mOhm @ 60A, 10V |
| 電力消費（最大） | 210W (Tc) | パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3160 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 130 nC @ 10 V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPB80N | ||
| ダウンロードセンター | IPB80N06S2L07ATMA3 PDF - EN.pdf | ||
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