| IPD30N03S2L07ATMA1 | |
|---|---|
| 部品型番 | IPD30N03S2L07ATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| スポットストック | 2518 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
| ECADモデル | |
| ドキュメント | 1.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf2.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf3.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf4.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf |
| IPD30N03S2L07ATMA1 Price |
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| IPD30N03S2L07ATMA1技術情報 | |||
|---|---|---|---|
| ブランドのモデル名 | IPD30N03S2L07ATMA1 | プロダクト | |
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 説明 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| パッケージ | PG-TO252-3-11 | スポットストック | 2518 pcs |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 85µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 |
| シリーズ | OptiMOS™ | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.7mOhm @ 30A, 10V |
| 電力消費（最大） | 136W (Tc) | パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 68 nC @ 10 V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPD30N | ||
| ダウンロードセンター | IPD30N03S2L07ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
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