IPD65R420CFDBTMA1技術情報 |
ブランドのモデル名 |
IPD65R420CFDBTMA1 |
プロダクト |
|
メーカー |
Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
説明 |
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 |
パッケージ |
PG-TO252-3 |
スポットストック |
2631 pcs |
同上@ VGS(TH)(最大) |
4.5V @ 340µA |
Vgs(最大) |
±20V |
技術 |
MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ |
PG-TO252-3 |
シリーズ |
CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) |
420mOhm @ 3.4A, 10V |
電力消費(最大) |
83.3W (Tc) |
パッケージ/ケース |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ |
Tape & Reel (TR) |
運転温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ |
Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds |
870 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs |
32 nC @ 10 V |
FETタイプ |
N-Channel |
FET特長 |
- |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) |
10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン |
650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) |
8.7A (Tc) |
基本製品番号 |
IPD65R | | |
ダウンロードセンター | IPD65R420CFDBTMA1 PDF - EN.pdf |
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