IPD65R420CFDBTMA1技術情報
ブランドのモデル名 IPD65R420CFDBTMA1 プロダクト  
メーカー Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 説明 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
パッケージ PG-TO252-3 スポットストック 2631 pcs
同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 340µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
シリーズ CoolMOS™ 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 420mOhm @ 3.4A, 10V
電力消費(最大) 83.3W (Tc) パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR) 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 870 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 32 nC @ 10 V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650 V 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8.7A (Tc)
基本製品番号 IPD65R  
ダウンロードセンターIPD65R420CFDBTMA1 PDF - EN.pdf
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