IPP60R380C6
部品型番 IPP60R380C6
メーカー Infineon Technologies
説明 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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IPP60R380C6技術情報
ブランドのモデル名 IPP60R380C6 プロダクト  
メーカー Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 説明 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
パッケージ PG-TO220-3-1 スポットストック 5120 pcs
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 320µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3-1
シリーズ CoolMOS™ 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 380mOhm @ 3.8A, 10V
電力消費(最大) 83W (Tc) パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Bulk 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 700 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 32 nC @ 10 V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10.6A (Tc)
ダウンロードセンターIPP60R380C6 PDF - EN.pdf

製品モデル

IPP60R380C6

紹介

CoolMOSシリーズの高電圧パワーMOSFETで、スイッチングアプリケーション向けに設計されています。

ブランドと製造元

インターナショナル・レクティファイア(インフィニオンテクノロジーズ)

機能

Nチャネル強化モード、低損失による高エネルギー効率、低い熱抵抗、高速スイッチング性能、安定性と長寿命のための頑丈なシリコン設計。

製品性能

温度範囲が-55°Cから150°Cまで拡張されても安定した動作、負荷下での高い信頼性を実現する優れた熱特性。

技術仕様

鉛フリーかつRoHS準拠、テクノロジー:金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)

寸法、形状、およびパッケージング

スルーホールパッケージタイプ:TO-220-3、取扱いと保管が容易なチューブ形式で供給、標準的な製造者パッケージ:PG-TO-220-3。

品質と信頼性

頑丈な端子接続を特徴としており、長期的な安定性と信頼性が設計されています。

製品の利点

600Vの高電圧能力、ゲートチャージとキャパシタンスが低く、スイッチング速度が向上、低Rds(on)による導通損失の低減。

製品の競争力

パワーアプリケーションにおいて効率とコスト効果のバランスを提供し、高エネルギー効率を要求する競争市場向けに適しています。

互換性

スルーホールマウントタイプは幅広いPCBと互換性があり、ドライブ電圧仕様が標準ゲートドライバーとの使用を促進します。

標準認証とコンプライアンス

環境及び安全性に関する業界基準(RoHS)を満たしています。

寿命と持続可能性

熱的及び電気的設計の最適化により、運用寿命が延長され、環境への影響を減らすエネルギー効率の高い設計に寄与します。

実際の応用分野

電源ユニット、インバータ、コンバータに適しており、消費者向け電子機器、自動車、産業用電力システムで広く使用されています。

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