IR2130JTRPBF
部品型番 IR2130JTRPBF
メーカー Infineon Technologies
説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
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ECADモデル
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IR2130JTRPBF技術情報
ブランドのモデル名 IR2130JTRPBF プロダクト 集積回路 (ic)
メーカー Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
パッケージ 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) スポットストック 2830 pcs
電源電圧 - 10V ~ 20V サプライヤデバイスパッケージ 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
シリーズ - 立上り/立下り時間(Typ) 80ns, 35ns
パッケージ/ケース 44-LCC (J-Lead), 32 Leads パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ) 入力周波数 6
装着タイプ Surface Mount ロジック電圧 - VIL、VIH 0.8V, 2.2V
入力タイプ Inverting ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 600 V
ゲートタイプ IGBT, N-Channel MOSFET 駆動構成 Half-Bridge
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 250mA, 500mA ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) 3-Phase
基本製品番号 IR2130  
ダウンロードセンターIR2130JTRPBF PDF - EN.pdf

メーカー部品番号

IR2130JTRPBF

説明

IR2130JTRPBFは、IGBTおよびNチャネルMOSFETパワースイッチを駆動するために設計された三相ゲートドライバICです。最大600Vのハイサイド電源を備えており、幅広いパワーエレクトロニクスアプリケーションで使用できます。

製品パッケージ

テープ&リール (TR) パッケージ

32リードの44-LCC (Jリード) パッケージ

表面実装設計

パッケージサイズ: 16.58 x 16.58 mm

高電圧、高出力アプリケーションに適しています。

この製品を選ぶ理由は?

IR2130JTRPBFは、三相パワースイッチを駆動するための堅牢で信頼性の高いソリューションを提供します。さまざまなパワーエレクトロニクスアプリケーションに最適です。ハイサイド電圧能力と低伝播遅延により、効率的で高性能なパワー変換が実現します。

主要機能

IGBTおよびNチャネルMOSFETパワースイッチを駆動

最大600Vのハイサイド供給

250mAの源および500mAのシンクピーク出力電流

反転入力タイプ

立ち上がり/立ち下がり時間: それぞれ80nsおよび35ns

広い動作温度範囲: -40°C ~ 150°C

製品互換性

IR2130JTRPBFは、幅広いIGBTおよびNチャネルMOSFETパワースイッチと互換性があり、さまざまなパワーエレクトロニクスアプリケーションにおいて多用途です。

主な利点

堅牢で信頼性の高い性能

要求されるアプリケーション向けの高電圧能力

効率的なパワー変換のための高速スイッチング

多様な環境で使用可能な広い動作温度範囲

製品ライフサイクル

IR2130JTRPBFはアクティブな製品であり、インフィニオンテクノロジーズから代替モデルや同等モデルが入手可能です。お客様はウェブサイトを通じて販売チームにお問い合わせいただき、利用可能なオプションおよび製品ライフサイクルの詳細を確認することをお勧めします。

主な適用分野

モータードライブ

パワーインバータ

無停電電源装置(UPS)

ソーラーインバータ

産業オートメーションおよび制御システム

今すぐ行動を起こす

お客様は、当社のウェブサイトでIR2130JTRPBFの見積もりを取得することをお勧めします。[ウェブサイト]を訪れて、見積もりを取得し、この製品についてさらに学ぶか、他の利用可能なオプションを探索してください。

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