IR2233SPBF
部品型番 IR2233SPBF
メーカー Infineon Technologies
説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
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ECADモデル
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IR2233SPBF技術情報
ブランドのモデル名 IR2233SPBF プロダクト 集積回路 (ic)
メーカー Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
パッケージ 28-SOIC スポットストック 3193 pcs
電源電圧 - 10V ~ 20V サプライヤデバイスパッケージ 28-SOIC
シリーズ - 立上り/立下り時間(Typ) 90ns, 40ns
パッケージ/ケース 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) パッケージ Tube
運転温度 125°C (TJ) 入力周波数 6
装着タイプ Surface Mount ロジック電圧 - VIL、VIH 0.8V, 2V
入力タイプ Inverting ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 1200 V
ゲートタイプ IGBT, N-Channel MOSFET 駆動構成 Half-Bridge
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 250mA, 500mA ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) 3-Phase
基本製品番号 IR2233  
ダウンロードセンターIR2233SPBF PDF - EN.pdf

製品モデル

IR2233SPBF

紹介

IGBTおよびNチャネルMOSFET向けの3相ゲートドライバIC

ブランドと製造元

インフィニオンテクノロジーズ

機能

三つのハーフブリッジドライバ、統合されたブートストラップ機能、すべてのチャネルに対するアンダーボルテージロックアウト、交差伝導防止ロジック、すべてのチャネルにおけるマッチングプロパゲーション遅延

製品性能

高い電流能力を持つ堅牢な出力ドライバ、最小デッドタイムでの効率的な動作

技術仕様

3相構成用の6つのドライバチャネル、ゲートドライブ電圧範囲: 10Vから20V

寸法、形状、およびパッケージング

28-SOICパッケージ、チューブ包装、幅: 7.50 mm

品質と信頼性

ブートストラップ回路用の高電圧能力1200Vまで、厳しい産業環境に適した製品

製品の利点

電力アプリケーション向けのコンパクトで効率的な設計を実現

製品の競争力

3相システムにおけるIGBTおよびMOSFETドライブの最適化

互換性

様々なIGBTおよびNチャネルMOSFETモデルと互換性あり

標準認証とコンプライアンス

ゲートドライバの業界標準に従って製造

寿命と持続可能性

電力エレクトロニクスにおける持続的な使用に適した長い運用寿命

実際の応用分野

産業用モータードライブ、UPSシステム、インバータアプリケーション、再生可能エネルギーシステム

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