| IRF7755GTRPBF | |
|---|---|
| 部品型番 | IRF7755GTRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP |
| スポットストック | 6000 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
| ECADモデル | |
| ドキュメント | 1.IRF7755GTRPBF.pdf2.IRF7755GTRPBF.pdf3.IRF7755GTRPBF.pdf |
| IRF7755GTRPBF Price |
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| IRF7755GTRPBF技術情報 | |||
|---|---|---|---|
| ブランドのモデル名 | IRF7755GTRPBF | プロダクト | |
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 説明 | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP |
| パッケージ | 8-TSSOP | スポットストック | 6000 pcs |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 51mOhm @ 3.7A, 4.5V | 電力 - 最大 | 1W |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1090pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 4.5V | FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.9A |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 基本製品番号 | IRF775 |
| ダウンロードセンター | IRF7755GTRPBF PDF - EN.pdf | ||
製品モデル
IRF7755GTRPBF
紹介
高効率アプリケーション向けのパワーMOSFETです。
ブランドと製造元
インターナショナルレクティファイア（インフィニオンテクノロジーズ）
機能
デュアルPチャネルMOSFET、ロジックレベルゲート、RoHS適合、HEXFETテクノロジー、表面実装デバイス
製品性能
最大3.9Aの高電流能力、1Wの効率的な電力処理、低Rds(オン)による電力損失の低減、高温動作範囲
技術仕様
ドレインからソースまでの電圧20V、最大RDS(オン)51 mΩ、最大ゲートしきい値電圧1.2V、連続ドレイン電流3.9A、最大ゲートチャージ17nC、最大入力容量1090pF
寸法、形状、およびパッケージング
8-TSSOPパッケージ、幅0.173インチ（4.40mm）、柔軟な数量のためにDigi-Reelで供給
品質と信頼性
一貫したパフォーマンスのために高い製造基準で製造されています。
製品の利点
高効率の電力変換、スペースに敏感なアプリケーション向けのコンパクトなフォームファクター
製品の競争力
競争力のある電力対サイズ比、ロジックレベルゲート駆動アプリケーションに好適
互換性
標準SMD組立プロセスに適しており、マイクロコントローラーシステムとの統合も容易です。
標準認証とコンプライアンス
鉛フリー、RoHS適合
寿命と持続可能性
指定された動作条件下での長寿命のパフォーマンス
実際の応用分野
電源管理、DC-DCコンバータ、バッテリー管理システム、コンピューティングおよびテレコミュニケーション機器
私達に電子メールを送りなさい：Info@Ariat-Tech.comかRFQ IRF7755GTRPBFオンライン。
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