IRLML0030TRPBF | |
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部品型番 | IRLML0030TRPBF |
メーカー | Infineon Technologies |
説明 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 |
スポットストック | 89000 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | 1.IRLML0030TRPBF.pdf2.IRLML0030TRPBF.pdf3.IRLML0030TRPBF.pdf4.IRLML0030TRPBF.pdf5.IRLML0030TRPBF.pdf6.IRLML0030TRPBF.pdf |
IRLML0030TRPBF Price |
オンライン問い合わせ or Email us: Info@ariat-tech.com |
IRLML0030TRPBF技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | IRLML0030TRPBF | プロダクト | |
メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 説明 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 |
パッケージ | Micro3™/SOT-23 | スポットストック | 89000 pcs |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 25µA | Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | Micro3™/SOT-23 |
シリーズ | HEXFET® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 27mOhm @ 5.2A, 10V |
電力消費(最大) | 1.3W (Ta) | パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 382 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V | FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.3A (Ta) |
基本製品番号 | IRLML0030 | ||
ダウンロードセンター | IRLML0030TRPBF PDF - EN.pdf |
IRLML0030TRPBF
高効率NチャネルMOSFET
インターナショナル・レクティファイア(インフィニオンテクノロジーズ)
Nチャネル
MOSFET技術
表面実装
ドレイン対ソース電圧: 30V
電流: 5.3A
抵抗: 27 mΩ
ゲートチャージ: 2.6nC
入力キャパシタンス: 382pF
ドライブ電圧: 4.5Vから10V
パワー損失: 1.3W
FETタイプ: Nチャネル
Vdss: 30V
Rds on: 27 mΩ @ 5.2A, 10V
Vgs(th): 2.3V @ 25A
Qg: 2.6nC @ 4.5V
Ciss: 382pF @ 15V
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
テープ&リール
高い
効率的な電力変換
低いオン抵抗
優れた熱性能
コンパクトサイズ
広範囲のドライブ電圧に対応
業界基準に準拠
耐久性が高い
エネルギー効率が良い
電力管理
スイッチングアプリケーション
IRLML0030TRPBF在庫 | IRLML0030TRPBF価格 | IRLML0030TRPBFエレクトロニクス | |||
IRLML0030TRPBFコンポーネント | IRLML0030TRPBFインベントリ | IRLML0030TRPBF Digikey | |||
サプライヤーIRLML0030TRPBF | IRLML0030TRPBFをオンラインで注文する | お問い合わせIRLML0030TRPBF | |||
IRLML0030TRPBF画像 | IRLML0030TRPBFの写真 | IRLML0030TRPBF PDF | |||
IRLML0030TRPBFデータシート | IRLML0030TRPBFデータシートをダウンロード | メーカーCypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
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ピクチャ | 部品型番 | 説明 | メーカー | 見積もりを入手する | |
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