IRLML0030TRPBF
部品型番 IRLML0030TRPBF
メーカー Infineon Technologies
説明 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
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ECADモデル
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IRLML0030TRPBF技術情報
ブランドのモデル名 IRLML0030TRPBF プロダクト  
メーカー Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 説明 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
パッケージ Micro3™/SOT-23 スポットストック 89000 pcs
同上@ VGS(TH)(最大) 2.3V @ 25µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ Micro3™/SOT-23
シリーズ HEXFET® 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 27mOhm @ 5.2A, 10V
電力消費(最大) 1.3W (Ta) パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR) 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 382 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 2.6 nC @ 4.5 V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.3A (Ta)
基本製品番号 IRLML0030  
ダウンロードセンターIRLML0030TRPBF PDF - EN.pdf

製品モデル

IRLML0030TRPBF

紹介

高効率NチャネルMOSFET

ブランドと製造元

インターナショナル・レクティファイア(インフィニオンテクノロジーズ)

機能

Nチャネル

MOSFET技術

表面実装

製品性能

ドレイン対ソース電圧: 30V

電流: 5.3A

抵抗: 27 mΩ

ゲートチャージ: 2.6nC

入力キャパシタンス: 382pF

ドライブ電圧: 4.5Vから10V

パワー損失: 1.3W

技術仕様

FETタイプ: Nチャネル

Vdss: 30V

Rds on: 27 mΩ @ 5.2A, 10V

Vgs(th): 2.3V @ 25A

Qg: 2.6nC @ 4.5V

Ciss: 382pF @ 15V

寸法、形状、およびパッケージング

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

テープ&リール

品質と信頼性

高い

製品の利点

効率的な電力変換

低いオン抵抗

製品の競争力

優れた熱性能

コンパクトサイズ

互換性

広範囲のドライブ電圧に対応

標準認証とコンプライアンス

業界基準に準拠

寿命と持続可能性

耐久性が高い

エネルギー効率が良い

実際の応用分野

電力管理

スイッチングアプリケーション

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