SPA11N80C3 | |
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部品型番 | SPA11N80C3 |
メーカー | Infineon Technologies |
説明 | SPA11N80C3 Infineon Technologies |
スポットストック | 9200 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | |
SPA11N80C3 Price |
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SPA11N80C3技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | SPA11N80C3 | プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 説明 | SPA11N80C3 Infineon Technologies |
パッケージ | TO220F | スポットストック | 9200 pcs |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.9V @ 680µA | Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-FP |
シリーズ | CoolMOS™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
電力消費(最大) | 34W (Tc) | パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1600pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 85nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800V | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11A (Tc) |
ダウンロードセンター | SPA11N80C3 PDF - EN.pdf |
SPA11N80C3
高効率電力変換アプリケーションのために設計された高電圧NチャネルMOSFETです。
インターナショナルレクティファイア(インフィニオンテクノロジーズ)
エネルギー損失を減少させるCoolMOS技術、耐圧800V、低オン抵抗(450 mΩ)、取り付けが容易なスルーホールパッケージ、高温(最大150°C)での操作に適しています。
25°Cで連続ドレイン電流を最大11Aまで処理可能、ゲート-ソース電圧を±20Vまでサポート、最大34Wの電力損失、10Vでのゲートチャージは85nCで効率的に動作します。
FETタイプ: NチャネルMOSFET、ドレイン対ソース電圧(Vdss):800V、25°Cでの連続ドレイン電流(Id):11A、Id、Vgsでの最大Rds On:450 mΩ(7.1A、10V)、Vgsでの最大ゲートチャージ(Qg):85nC(10V)、Vdsでの最大入力容量(Ciss):1600pF(100V)、最大ドライブ電圧(最大Rds On、最小Rds On):10V。
パッケージ/ケース:TO-220-3フルパック、サプライヤーデバイパッケージ:PG-TO220-FP、一元管理されたチューブ包装で、安全な取り扱いと保管が可能です。
工業環境での厳格な品質および信頼性基準を満たすよう設計されており、優れた熱管理機能を持っています。
高電圧機能とエネルギー効率により、システム全体の性能を向上させます。堅牢な設計は要求の厳しいアプリケーションに適しています。
高電圧MOSFET市場で競争力のあるポジショニングを持ち、効率性と熱管理の観点で類似製品に対してパフォーマンスの利点を提供します。
標準のスルーホール取り付け技術と互換性があり、高電力アプリケーションで使用される通常のゲート駆動電圧と連携します。
安全性および性能に関する業界標準の仕様に準拠しています。
高ストレス条件下での長期的な信頼性を考慮して設計されており、エネルギー効率の良い性能を通じて持続可能な運用をサポートします。
電源、インバーター、スイッチングレギュレーターなど広範に使用され、高電圧および電力管理を要するアプリケーション(工業用駆動装置や太陽光インバーターなど)に適しています。
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