IS42S32800D-75EBLI
部品型番 IS42S32800D-75EBLI
メーカー ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明 IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
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ECADモデル
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IS42S32800D-75EBLI技術情報
ブランドのモデル名 IS42S32800D-75EBLI プロダクト 集積回路 (ic)
メーカー Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 説明 IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
パッケージ 90-TFBGA (8x13) スポットストック 2762 pcs
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ - 電源電圧 - 3V ~ 3.6V
技術 SDRAM サプライヤデバイスパッケージ 90-TFBGA (8x13)
シリーズ - パッケージ/ケース 90-TFBGA
パッケージ Tray 運転温度 -40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ Surface Mount メモリタイプ Volatile
記憶容量 256Mbit メモリ組織 8M x 32
メモリインタフェース Parallel メモリ形式 DRAM
クロック周波数 133 MHz 基本製品番号 IS42S32800
アクセス時間 5.5 ns  
ダウンロードセンターIS42S32800D-75EBLI PDF - EN.pdf

製品モデル

IS42S32800D-75EBLI

紹介

高速アプリケーション向けに設計された高容量SDRAMメモリモジュールです。

ブランドと製造元

インテグレーテッドシリコンソリューション株式会社

機能

高データ帯域幅能力、並列メモリインターフェース、高クロック周波数操作をサポートします。

製品性能

256Mbitのストレージ容量、133MHzのクロック周波数、5.5nsの高速アクセス時間を提供します。

技術仕様

メモリタイプ:揮発性DRAM、メモリサイズ:256Mbit、メモリ構成:8M x 32、メモリインターフェース:並列、電圧供給:3V〜3.6V

寸法、形状、およびパッケージング

90-TFBGAパッケージ、表面実装型、8x13mmパッケージの寸法が指定されています。

品質と信頼性

温度範囲-40°Cから85°Cで動作します。

製品の利点

高速データ処理に最適化されており、密なPCBレイアウトに適したコンパクトな形状です。

製品の競争力

高速データアクセスと高メモリ帯域幅が必要なアプリケーションに最適です。

互換性

並列メモリインターフェースを必要とするシステムとの統合を目的として設計されています。

標準認証とコンプライアンス

標準DRAM操作仕様に準拠しています。

寿命と持続可能性

工業温度範囲に耐えるために設計されており、耐久性を向上させています。

実際の応用分野

通信、コンピューティングおよび高速データ処理が重要な産業アプリケーションに使用されています。

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