IS43LR16160G-6BLI
部品型番 IS43LR16160G-6BLI
メーカー ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
スポットストック 2770 pcs new original in stock.
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ECADモデル
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IS43LR16160G-6BLI技術情報
ブランドのモデル名 IS43LR16160G-6BLI プロダクト 集積回路 (ic)
メーカー Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 説明 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
パッケージ 60-TFBGA (8x10) スポットストック 2770 pcs
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 15ns 電源電圧 - 1.7V ~ 1.95V
技術 SDRAM - Mobile LPDDR サプライヤデバイスパッケージ 60-TFBGA (8x10)
シリーズ - パッケージ/ケース 60-TFBGA
パッケージ Tray 運転温度 -40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ Surface Mount メモリタイプ Volatile
記憶容量 256Mbit メモリ組織 16M x 16
メモリインタフェース Parallel メモリ形式 DRAM
クロック周波数 166 MHz 基本製品番号 IS43LR16160
アクセス時間 5.5 ns  
ダウンロードセンターIS43LR16160G-6BLI PDF - EN.pdf

製品モデル

IS43LR16160G-6BLI

紹介

低消費電力のモバイルSDRAM

ブランドと製造元

インテグレーテッド・シリコン・ソリューションズ株式会社 (ISSI)

機能

低消費電力、ハイスピード動作

製品性能

166 MHzの高速クロック周波数、15nsのクイック書き込みサイクルタイム、5.5nsの迅速なアクセス時間

技術仕様

タイプ:モバイルLPDDR SDRAM、構成:16M x 16

寸法、形状、およびパッケージング

60-TFBGAパッケージ、表面実装、トレーに包装

品質と信頼性

動作温度範囲:-40°Cから85°C、過酷な条件に耐える堅牢な構造

製品の利点

モバイルアプリケーション向けに最適化、エネルギー効率が高い

製品の競争力

高密度メモリソリューション、競争力のあるデータ転送速度

互換性

モバイルプロセッサーやチップセットとの広範な互換性

標準認証とコンプライアンス

モバイルメモリに関する業界標準を満たす

寿命と持続可能性

電子機器での長寿命使用を前提に設計

実際の応用分野

モバイル通信機器、ポータブル電子機器、組み込みシステム

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