IS43LR16160G-6BLI | |
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部品型番 | IS43LR16160G-6BLI |
メーカー | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
説明 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA |
スポットストック | 2770 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | IS43LR16160G-6BLI.pdf |
IS43LR16160G-6BLI Price |
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IS43LR16160G-6BLI技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | IS43LR16160G-6BLI | プロダクト | 集積回路 (ic) |
メーカー | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | 説明 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA |
パッケージ | 60-TFBGA (8x10) | スポットストック | 2770 pcs |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 15ns | 電源電圧 - | 1.7V ~ 1.95V |
技術 | SDRAM - Mobile LPDDR | サプライヤデバイスパッケージ | 60-TFBGA (8x10) |
シリーズ | - | パッケージ/ケース | 60-TFBGA |
パッケージ | Tray | 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount | メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 256Mbit | メモリ組織 | 16M x 16 |
メモリインタフェース | Parallel | メモリ形式 | DRAM |
クロック周波数 | 166 MHz | 基本製品番号 | IS43LR16160 |
アクセス時間 | 5.5 ns | ||
ダウンロードセンター | IS43LR16160G-6BLI PDF - EN.pdf |
IS43LR16160G-6BLI
低消費電力のモバイルSDRAM
インテグレーテッド・シリコン・ソリューションズ株式会社 (ISSI)
低消費電力、ハイスピード動作
166 MHzの高速クロック周波数、15nsのクイック書き込みサイクルタイム、5.5nsの迅速なアクセス時間
タイプ:モバイルLPDDR SDRAM、構成:16M x 16
60-TFBGAパッケージ、表面実装、トレーに包装
動作温度範囲:-40°Cから85°C、過酷な条件に耐える堅牢な構造
モバイルアプリケーション向けに最適化、エネルギー効率が高い
高密度メモリソリューション、競争力のあるデータ転送速度
モバイルプロセッサーやチップセットとの広範な互換性
モバイルメモリに関する業界標準を満たす
電子機器での長寿命使用を前提に設計
モバイル通信機器、ポータブル電子機器、組み込みシステム