| IXFP16N50P | |
|---|---|
| 部品型番 | IXFP16N50P |
| メーカー | IXYS |
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB |
| スポットストック | 20000 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
| ECADモデル | |
| ドキュメント | IXFP16N50P.pdf |
| IXFP16N50P Price |
オンライン問い合わせ or Email us: Info@ariat-tech.com |
| IXFP16N50P技術情報 | |||
|---|---|---|---|
| ブランドのモデル名 | IXFP16N50P | プロダクト | |
| メーカー | IXYS / Littelfuse | 説明 | MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB |
| パッケージ | TO-220-3 | スポットストック | 20000 pcs |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 2.5mA | Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 8A, 10V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2250 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXFP16 | ||
| ダウンロードセンター | IXFP16N50P PDF - EN.pdf | ||
製品モデル
IXFP16N50P
紹介
スイッチング用途向けの高出力NチャネルMOSFETトランジスタ
ブランドと製造元
IXYSコーポレーション
機能
NチャネルMOSFET
高ドレイン-ソース電圧（500V）
連続ドレイン電流16A（25°Cでの動作時）
金属酸化膜半導体技術
スルーホール実装タイプ
環境安全のためのRoHS準拠
鉛フリー
製品性能
動作温度範囲：-55°Cから150°C
最大電力損失：300Wまで
低ゲートチャージ
高速スイッチング特性
優れた熱性能
技術仕様
Rds On：8A、10Vで400mΩ
ゲート閾値電圧：2.5mAで5.5V
ゲートチャージ：10Vで43nC
入力容量：25Vで2250pF
ドライブ電圧：10V、フレキシブルなゲートドライブを提供
寸法、形状、およびパッケージング
TO-220-3パッケージ
サプライヤーデバイスパッケージ：TO-220AB
チューブ入りで出荷
品質と信頼性
さまざまなアプリケーションで高信頼性試験済み
半導体デバイスの品質基準に準拠
製品の利点
高出力用途向けの強化された熱性能
低オン抵抗によるエネルギー損失の低減
製品の競争力
クラス内で競争力のあるドレイン-ソース電圧評価
コストに対するバランスの取れた性能
互換性
標準TO-220パッケージにより、さまざまな回路設計に対応
標準認証とコンプライアンス
鉛フリーおよびRoHS準拠
寿命と持続可能性
長期的な信頼性を考慮した設計
鉛フリー材料による持続可能な製品
実際の応用分野
電源供給
モーター制御回路
インバータおよびコンバータ
電子機器におけるスイッチング用途
高出力電子システム
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| ピクチャ | 部品型番 | 説明 | メーカー | 見積もりを入手する | |
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