IXTH16N20D2
部品型番 IXTH16N20D2
メーカー IXYS
説明 MOSFET N-CH 200V 16A TO247
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IXTH16N20D2技術情報
ブランドのモデル名 IXTH16N20D2 プロダクト  
メーカー IXYS / Littelfuse 説明 MOSFET N-CH 200V 16A TO247
パッケージ TO-247 (IXTH) スポットストック 6861 pcs
同上@ VGS(TH)(最大) - Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
シリーズ Depletion 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 73mOhm @ 8A, 0V
電力消費(最大) 695W (Tc) パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5500 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 208 nC @ 5 V FETタイプ N-Channel
FET特長 Depletion Mode 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200 V 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 16A (Tc)
基本製品番号 IXTH16  
ダウンロードセンターIXTH16N20D2 PDF - EN.pdf

製品モデル

IXTH16N20D2

紹介

これはFET(電界効果トランジスタ)、特にNチャネル減少モードMOSFET(メタル酸化物半導体電界効果トランジスタ)の一種です。

ブランドと製造元

IXYS株式会社

機能

製造者部品番号はIXTH16N20D2です。鉛フリーでRoHS準拠です。チューブ包装で提供されます。MOSFET(メタル酸化物)技術を使用しています。

製品性能

動作温度範囲は-55°Cから150°C(TJ)です。マウントタイプはスルーホールです。ドレインからソース電圧(Vdss)は最大200Vです。25°Cで最大16A(Tc)の連続ドレイン電流(Id)を維持できます。Id、Vgsが8A、0Vの時、最大Rds Onは73mΩです。Vgsが5Vの際、最大ゲートチャージ(Qg)は208nCです。Vdsが25Vの際、最大入力容量(Ciss)は5500pFです。

技術仕様

TO-247-3パッケージまたはケースに入っています。供給デバイスタイプ:TO-247(IXTH)。最大放熱(Max)は695W(Tc)です。最大Vgsは±20Vです。

寸法、形状、およびパッケージング

TO-247-3パッケージまたはケースを特徴とし、チューブ包装で販売されています。

品質と信頼性

製品はRoHS準拠であり、鉛フリーで安全に使用できます。製造者はIXYS株式会社であり、信頼できるパワー半導体のサプライヤーです。

製品の利点

高電圧および高電流で動作します。幅広い温度条件に適しています。

製品の競争力

高い放熱能力を持ち、信頼できるメーカーから供給されています。

互換性

スルーホールマウントタイプのため、幅広いデバイスと互換性があります。

標準認証とコンプライアンス

鉛フリーでRoHS準拠です。

寿命と持続可能性

高温および高電圧に耐えうる耐久性のある材料で作られています。

実際の応用分野

高電圧および高電流を必要とする技術アプリケーションに適しています。

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