IXDI614CI | |
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部品型番 | IXDI614CI |
メーカー | IXYS Integrated Circuits Division |
説明 | IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5 |
スポットストック | 2667 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | IXDI614CI.pdf |
IXDI614CI Price |
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IXDI614CI技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | IXDI614CI | プロダクト | 集積回路 (ic) |
メーカー | IXYS Integrated Circuits Division | 説明 | IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5 |
パッケージ | TO-220-5 | スポットストック | 2667 pcs |
電源電圧 - | 4.5V ~ 35V | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-5 |
シリーズ | - | 立上り/立下り時間(Typ) | 25ns, 18ns |
パッケージ/ケース | TO-220-5 Formed Leads | パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 入力周波数 | 1 |
装着タイプ | Through Hole | ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 3V |
入力タイプ | Inverting | ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
駆動構成 | Low-Side | 電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 14A, 14A |
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) | Single | 基本製品番号 | IXDI614 |
ダウンロードセンター | IXDI614CI PDF - EN.pdf |
IXDI614CI
IXDI614CI ゲートドライバーは、パワーマネジメントアプリケーションに最適です。
リトルフューズ(Littelfuse)
シングルローサイドドライバー構成、IGBTやNチャネル・PチャネルMOSFETをサポート、高いピーク出力電流、素早い立ち上がりおよび立ち下がり時間、広範囲な動作温度。
堅牢な14Aのソースおよびシンク電流能力、高速スイッチング(25nsの立ち上がり時間、18nsの立ち下がり時間)、過酷な条件での耐久性および信頼性。
供給電圧範囲: 4.5Vから35V、論理電圧レベル: VIL 0.8V, VIH 3V。
スルーホールマウントTO-220-5製リードパッケージ、チューブ包装で供給。
厳しい産業用途に対して認証済み、最大150°Cの高温環境で動作可能。
要求の厳しいアプリケーションに適した高出力電流、パワーデバイスに効率的なゲート駆動。
高い性能と低いゲート電圧閾値のために設計されています。
さまざまなIGBTおよびMOSFET技術に対応。
電子部品の業界標準に準拠しています。
長期の信頼性と安定性のために設計されています。
パワーサプライ回路、モーターコントローラー、産業自動化システムなどで広く使用されています。
IXDI614CI在庫 | IXDI614CI価格 | IXDI614CIエレクトロニクス |
IXDI614CIコンポーネント | IXDI614CIインベントリ | IXDI614CI Digikey |
サプライヤーIXDI614CI | IXDI614CIをオンラインで注文する | お問い合わせIXDI614CI |
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