| APT30F50B | |
|---|---|
| 部品型番 | APT30F50B |
| メーカー | Microchip Technology |
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 30A TO247 |
| スポットストック | 3037 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
| ECADモデル | |
| ドキュメント | 1.APT30F50B.pdf2.APT30F50B.pdf3.APT30F50B.pdf4.APT30F50B.pdf5.APT30F50B.pdf6.APT30F50B.pdf |
| APT30F50B Price |
オンライン問い合わせ or Email us: Info@ariat-tech.com |
| APT30F50B技術情報 | |||
|---|---|---|---|
| ブランドのモデル名 | APT30F50B | プロダクト | |
| メーカー | Microsemi | 説明 | MOSFET N-CH 500V 30A TO247 |
| パッケージ | TO-247 [B] | スポットストック | 3037 pcs |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 190mOhm @ 14A, 10V |
| 電力消費（最大） | 415W (Tc) | パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4525 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 115 nC @ 10 V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
| 基本製品番号 | APT30F50 | ||
| ダウンロードセンター | APT30F50B PDF - EN.pdf | ||
製品モデル
APT30F50B
紹介
高性能NチャネルMOSFET
ブランドと製造元
マイクロセミ
機能
金属酸化物半導体技術
Nチャネル構成
高い電力散逸能力
製品性能
最大500Vまでの高電圧耐性
25°Cでの連続ドレイン電流30A
効率的な導電のための低Rds On
堅牢な熱性能
技術仕様
FETタイプ：NチャネルMOSFET
ドレイン・ソース電圧 (Vdss)：500V
Rds On (最大)：190 mΩ
ゲートチャージ (Qg)：115nC
入力容量 (Ciss)：4525pF
寸法、形状、およびパッケージング
TO-247-3パッケージ
スルーホールマウンティング
チューブ包装で出荷
品質と信頼性
鉛フリーおよびRoHS準拠
高い動作温度範囲 -55°Cから150°C
製品の利点
高電圧アプリケーションに適している
効率的な電力管理
製品の競争力
優れた電気性能
過酷な環境でも信頼性が高い
互換性
駆動回路との広い互換性
標準駆動電圧
標準認証とコンプライアンス
RoHS準拠
寿命と持続可能性
耐久性のある構造で長い運用寿命
実際の応用分野
電源ユニット
モーター制御
高出力電子回路
私達に電子メールを送りなさい：Info@Ariat-Tech.comかRFQ APT30F50Bオンライン。
| APT30F50B在庫 | APT30F50B価格 | APT30F50Bエレクトロニクス | |||
| APT30F50Bコンポーネント | APT30F50Bインベントリ | APT30F50B Digikey | |||
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