SSM3J168F,LF
部品型番 SSM3J168F,LF
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
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SSM3J168F,LF技術情報
ブランドのモデル名 SSM3J168F,LF プロダクト  
メーカー TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) 説明 MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
パッケージ SOT-23-3 スポットストック 2519 pcs
同上@ VGS(TH)(最大) 2V @ 1mA Vgs(最大) +20V, -16V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
シリーズ U-MOSVI 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
電力消費(最大) 1.2W (Ta) パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR) 運転温度 150°C
装着タイプ Surface Mount 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 82 pF @ 10 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 3 nC @ 10 V FETタイプ P-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 400mA (Ta)
基本製品番号 SSM3J168  
ダウンロードセンターSSM3J168F,LF PDF - EN.pdf

製品モデル

SSM3J168F,LF

紹介

電力管理とスイッチングのために設計されたPチャネルMOSFET

ブランドと製造元

東芝半導体およびストレージ

機能

Pチャネル、60V、400mA。低オン抵抗、高速スイッチング、低駆動電圧。

製品性能

2Wの電力損失。高速スイッチング下での高い信頼性。効率的な動作のための低いゲートチャージ。

技術仕様

60Vのドレイン-ソース電圧(Vds)、400mAのドレイン電流(Id)、100mA、4.5Vでの1.9オーム静的ドレイン-ソースオン抵抗(Rds(on))、10Vでの82pFゲートチャージ(Qg)、3nCの総ゲートチャージ(Qg)、1mAでの2Vゲート-ソース閾値電圧(Vgs(th))、最大20Vの前方ゲート-ソース電圧(Vgs)、最大-16Vの逆ゲート-ソース電圧(Vgs)。

寸法、形状、およびパッケージング

TO-236-3、SC-59、SOT-23-3パッケージ。自動組立用のテープ&リール(TR)で供給。湿気感受性レベル(MSL) 1。

品質と信頼性

鉛フリーでRoHS準拠。優れた湿気抵抗性。

製品の利点

サイズに対して向上した熱性能。低電圧駆動アプリケーションに適しています。

製品の競争力

高速度スイッチング能力。エネルギー効率の高い運転。

互換性

表面実装技術(SMT)と互換性があります。

標準認証とコンプライアンス

鉛フリー / RoHS準拠。

寿命と持続可能性

長期的な信頼性のために設計。環境に優しい材料と生産。

実際の応用分野

電力管理システム、スイッチングアプリケーション、ポータブルデバイス、電源。

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