SI1539CDL-T1-GE3
部品型番 SI1539CDL-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
説明 MOSFET N/P-CH 30V SOT363
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SI1539CDL-T1-GE3技術情報
ブランドのモデル名 SI1539CDL-T1-GE3 プロダクト  
メーカー Vishay / Siliconix 説明 MOSFET N/P-CH 30V SOT363
パッケージ SC-70-6 スポットストック 4800 pcs
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SC-70-6 シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 388mOhm @ 600mA, 10V 電力 - 最大 340mW
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 28pF @ 15V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 1.5nC @ 10V
FET特長 Logic Level Gate ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 700mA, 500mA コンフィギュレーション N and P-Channel
基本製品番号 SI1539  
ダウンロードセンターSI1539CDL-T1-GE3 PDF - EN.pdf

製品モデル

SI1539CDL-T1-GE3

紹介

MOSFETアレイ - NチャネルおよびPチャネル

ブランドと製造元

ビシャイ / シリコンニクス

機能

ロジックレベルゲート

コンパクトなパッケージのNチャネルおよびPチャネルMOSFET

組み立てが容易な表面実装技術

製品性能

150°Cまでの高温動作

効率的な電力管理

低オン抵抗

高速スイッチング速度

技術仕様

ドレインからソース間電圧 (Vdss): 30V

連続ドレイン電流 (Id): 700mA(Nチャネル)、500mA(Pチャネル)

最大Rds On: 10VのVgsで388mΩ

ゲートスレッショルド電圧 (Vgs(th)): Id 250µAで最大2.5V

寸法、形状、およびパッケージング

6-TSSOP、SC-88、SOT-363パッケージ

サプライヤーデバイスパッケージ: SOT-363

メーカーのパッケージ: デジリール

品質と信頼性

鉛フリーおよびRoHS適合

耐久性と安定した性能のために設計

製品の利点

サイズに対する優れた電力比

ロジックレベルアプリケーションでの優れた動作

製品の競争力

コンパクトで高効率な設計に適している

そのカテゴリーでの強力な性能

互換性

標準SMTプロセスとの互換性

標準認証とコンプライアンス

鉛フリー

RoHS適合

寿命と持続可能性

広い温度範囲での耐久性

厳しい環境に適している

実際の応用分野

電力管理回路で使用

ミックス信号アプリケーションに最適

コンピュータおよび通信機器で一般的

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