| SI7460DP-T1-E3 | |
|---|---|
| 部品型番 | SI7460DP-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| スポットストック | 7442 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
| ECADモデル | |
| ドキュメント | 1.SI7460DP-T1-E3.pdf2.SI7460DP-T1-E3.pdf |
| SI7460DP-T1-E3 Price |
オンライン問い合わせ or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SI7460DP-T1-E3技術情報 | |||
|---|---|---|---|
| ブランドのモデル名 | SI7460DP-T1-E3 | プロダクト | |
| メーカー | Vishay / Siliconix | 説明 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| パッケージ | PowerPAK® SO-8 | スポットストック | 7442 pcs |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ | TrenchFET® | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.6mOhm @ 18A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.9W (Ta) | パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) | 基本製品番号 | SI7460 |
| ダウンロードセンター | SI7460DP-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
製品モデル
SI7460DP-T1-E3
紹介
Vishay Siliconix PowerPAK SO-8 N-Channel MOSFET
ブランドと製造元
Vishay / Siliconix
機能
N-Channel TrenchFET技術を採用し、低オン抵抗により高効率を実現。パワー密度を強化。
製品性能
動作温度範囲は-55°Cから150°C。25°Cでの連続ドレイン電流は11A。室温での消費電力は1.9W。
技術仕様
ドレインからソースまでの電圧(Vdss)は60V。ゲートからソースまでのしきい値電圧(Vgs(th))は最大3V（250µA）。静的ドレインからソースのオン抵抗(Rds On)は18A、10Vで9.6mOhm。
寸法、形状、およびパッケージング
PowerPAK SO-8パッケージ。自動組み立てに適したテープ&リール(TR)で供給。
品質と信頼性
鉛フリーでRoHS準拠。一貫した性能と高い信頼性を実現。
製品の利点
低熱抵抗。高パワー密度アプリケーションに適している。
製品の競争力
高効率パワー管理アプリケーションで競争力がある。
互換性
自動組み立てプロセスに対応。表面実装技術に対応。
標準認証とコンプライアンス
鉛フリーでRoHS準拠。環境と健康の基準を満たす。
寿命と持続可能性
指定条件下での長期間の運転寿命を持つ。
実際の応用分野
電源、パワー管理、DC-DCコンバータ、スイッチングアプリケーション
私達に電子メールを送りなさい：Info@Ariat-Tech.comかRFQ SI7460DP-T1-E3オンライン。
| SI7460DP-T1-E3在庫 | SI7460DP-T1-E3価格 | SI7460DP-T1-E3エレクトロニクス | |||
| SI7460DP-T1-E3コンポーネント | SI7460DP-T1-E3インベントリ | SI7460DP-T1-E3 Digikey | |||
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| SI7460DP-T1-E3データシート | SI7460DP-T1-E3データシートをダウンロード | メーカーVishay / Siliconix | |||
| SI7460DP-T1-E3関連モデル | |||||
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| ピクチャ | 部品型番 | 説明 | メーカー | 見積もりを入手する | |
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SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-E3 MOS | VISHAT QFN-8 | VISHAT | ||
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SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7459DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7460DP | SI7460DP SI | SI | ||
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SI7460DP-T1-E3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
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SI7458DP-T1-GE3 | SI7458DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
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SI7460DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7461DP | SI7461DP VISHAY | VISHAY | ||
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SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7458DP-T1-E3 | SI7458DP-T1-E3 VISHAT | VISHAT | ||
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SI7459DP | SI7459DP VISHAY | VISHAY | ||
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