| SIR466DP-T1-GE3 | |
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| 部品型番 | SIR466DP-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
| スポットストック | 11000 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
| ECADモデル | |
| ドキュメント | 1.SIR466DP-T1-GE3.pdf2.SIR466DP-T1-GE3.pdf3.SIR466DP-T1-GE3.pdf4.SIR466DP-T1-GE3.pdf |
| SIR466DP-T1-GE3 Price |
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| SIR466DP-T1-GE3技術情報 | |||
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| ブランドのモデル名 | SIR466DP-T1-GE3 | プロダクト | |
| メーカー | Vishay / Siliconix | 説明 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
| パッケージ | PowerPAK® SO-8 | スポットストック | 11000 pcs |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 250µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ | TrenchFET® | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.5mOhm @ 15A, 10V |
| 電力消費（最大） | 5W (Ta), 54W (Tc) | パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2730 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 65 nC @ 10 V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIR466 | ||
| ダウンロードセンター | SIR466DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
製品モデル
SIR466DP-T1-GE3
紹介
高性能NチャネルMOSFET
ブランドと製造元
Vishay Siliconix
機能
TrenchFETテクノロジー、連続ドレイン電流40A、高いオン抵抗率3.5mΩ、サーフェスマウントPowerPAK SO-8パッケージ、鉛フリーおよびRoHS適合
製品性能
動作温度範囲は-55°Cから150°C、周囲温度における電力損失は最大5W、ケース温度における電力損失は最大54W、高速スイッチング能力
技術仕様
ドレイン-ソース電圧（Vdss）：30V、ゲート-ソース電圧（Vgs max）：±20V、ゲートチャージ（Qg）をVgs 10Vで65nC、入力キャパシタンス（Ciss）をVds 15Vで2730pF、ドライブ電圧要件：4.5Vから10V
寸法、形状、およびパッケージング
PowerPAK SO-8パッケージ、自動組立用にテープ＆リールで供給
品質と信頼性
半導体デバイスのリーダーであるVishayによって製造
製品の利点
エネルギー効率の良い設計、低い熱抵抗
製品の競争力
競争力のあるオン抵抗とゲートチャージ仕様、高効率な電力管理設計に適用可能
互換性
標準的なサーフェスマウントプロセスに対応
標準認証とコンプライアンス
鉛フリーおよびRoHS適合
寿命と持続可能性
長寿命を考慮した耐久性のある構造
実際の応用分野
電源、DC/DCコンバータ、モータードライブ、バッテリーマネジメントシステム、自動車用途
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