MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 | |
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部品型番 | MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 |
メーカー | Kaga FEI America, Inc. |
説明 | IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 16SOP |
スポットストック | 2608 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | MB85RQ4MLPF-G-BCERE1.pdf |
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 Price |
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MB85RQ4MLPF-G-BCERE1技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 | プロダクト | 集積回路 (ic) |
メーカー | Fujitsu Electronics America, Inc. | 説明 | IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 16SOP |
パッケージ | 16-SOP | スポットストック | 2608 pcs |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | 電源電圧 - | 1.7V ~ 1.95V |
技術 | FRAM (Ferroelectric RAM) | サプライヤデバイスパッケージ | 16-SOP |
シリーズ | - | パッケージ/ケース | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount | メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 4Mbit | メモリ組織 | 512K x 8 |
メモリインタフェース | SPI - Quad I/O | メモリ形式 | FRAM |
クロック周波数 | 108 MHz | 基本製品番号 | MB85RQ4 |
ダウンロードセンター | MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 PDF - EN.pdf |
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1
これは、高速データ収集およびストレージアプリケーション向けに設計された4MbのFRAM(強誘電体ランダムアクセスメモリ)デバイスです。
富士通エレクトロニクスアメリカ株式会社
不揮発性メモリ
高耐久性
高速読み書き操作
低消費電力
供給電圧は1.7 Vから1.95 Vで動作
108MHzの速度により迅速なデータ転送を実現
-40°Cから85°Cの温度範囲内で効果的に機能
メモリサイズ:4Mb(512K x 8)
メモリタイプ:FRAM
インターフェース:SPI、QSPI
パッケージ:16-SOIC(幅0.295インチ、7.50mm)
パッケージ/ケース:16-SOIC
メーカーのパッケージ:16-SOP
自動組み立てのためにテープ&リール(TR)で供給
工業用温度範囲に適した頑丈な構造
信頼性のあるデータ保持と耐久性
電源なしでデータを保持
データの破損に強い
最小限の電力使用でポータブルデバイスのバッテリー寿命を延ばす
高速性と不揮発性の組み合わせにより、メモリ市場で競争力を発揮
従来の不揮発性メモリ(EEPROMなど)に比べて優れた耐久性
標準SPIおよびQSPIインターフェースと互換性があり、既存のアーキテクチャへの統合が容易
メモリデバイスの業界標準仕様に準拠
頻繁な読み書きサイクルに耐える長寿命
低エネルギー消費が電子製品の持続可能性に寄与
工業自動化、データロギング、医療機器、スマートメーターに理想的