MB85RS128BPNF-G-JNE1 | |
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部品型番 | MB85RS128BPNF-G-JNE1 |
メーカー | Kaga FEI America, Inc. |
説明 | IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP |
スポットストック | 8005 pcs new original in stock. 在庫見積もりを取得する |
ECADモデル | |
ドキュメント | 1.MB85RS128BPNF-G-JNE1.pdf2.MB85RS128BPNF-G-JNE1.pdf3.MB85RS128BPNF-G-JNE1.pdf4.MB85RS128BPNF-G-JNE1.pdf5.MB85RS128BPNF-G-JNE1.pdf |
MB85RS128BPNF-G-JNE1 Price |
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MB85RS128BPNF-G-JNE1技術情報 | |||
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ブランドのモデル名 | MB85RS128BPNF-G-JNE1 | プロダクト | 集積回路 (ic) |
メーカー | Fujitsu Electronics America, Inc. | 説明 | IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP |
パッケージ | 8-SOP | スポットストック | 8005 pcs |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | 電源電圧 - | 2.7V ~ 3.6V |
技術 | FRAM (Ferroelectric RAM) | サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
シリーズ | - | パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
パッケージ | Tube | 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount | メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 128Kbit | メモリ組織 | 16K x 8 |
メモリインタフェース | SPI | メモリ形式 | FRAM |
クロック周波数 | 33 MHz | 基本製品番号 | MB85RS128 |
ダウンロードセンター | MB85RS128BPNF-G-JNE1 PDF - EN.pdf |
MB85RS128BPNF-G-JNE1
FRAMシリアルメモリIC
富士通エレクトロニクスアメリカ社
不揮発性メモリ技術、高速SPIインターフェース、書き込み動作に遅延なし、低消費電力、最大10年間のデータ保持、最大10^10回書き込み耐久性
33MHzの高速読み書き速度、データの信頼性と整合性
メモリサイズ:128Kb(16K x 8)、供給電圧:2.7V〜3.6V、メモリタイプ:FRAM、インターフェース:SPIシリアル、速度:33MHz、メモリ形式:FRAM
8-SOICパッケージ、幅:3.90mm、パッケージ:チューブ
長期データ保持、高いサイクル耐久性
即時不揮発性ストレージ、バッテリー用途における低消費電力、放射線および磁場に対する耐性
産業用および自動車用アプリケーションに適している、過酷な環境でも高い信頼性、従来のEEPROMおよびフラッシュメモリと競合
SPIプロトコルシステムと互換性あり
半導体製品のJEDEC基準を満たす
高い書き込み耐久性を有して持続可能、FRAM技術により操作寿命が延長
自動車エレクトロニクス、産業用オートメーション、データ収集システム、コンシューマーエレクトロニクス、メーターおよびスマートグリッドシステム