MB85RS128BPNF-G-JNE1
部品型番 MB85RS128BPNF-G-JNE1
メーカー Kaga FEI America, Inc.
説明 IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP
スポットストック 8005 pcs new original in stock.
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ECADモデル
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MB85RS128BPNF-G-JNE1技術情報
ブランドのモデル名 MB85RS128BPNF-G-JNE1 プロダクト 集積回路 (ic)
メーカー Fujitsu Electronics America, Inc. 説明 IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP
パッケージ 8-SOP スポットストック 8005 pcs
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ - 電源電圧 - 2.7V ~ 3.6V
技術 FRAM (Ferroelectric RAM) サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
シリーズ - パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
パッケージ Tube 運転温度 -40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ Surface Mount メモリタイプ Non-Volatile
記憶容量 128Kbit メモリ組織 16K x 8
メモリインタフェース SPI メモリ形式 FRAM
クロック周波数 33 MHz 基本製品番号 MB85RS128
ダウンロードセンターMB85RS128BPNF-G-JNE1 PDF - EN.pdf

製品モデル

MB85RS128BPNF-G-JNE1

紹介

FRAMシリアルメモリIC

ブランドと製造元

富士通エレクトロニクスアメリカ社

機能

不揮発性メモリ技術、高速SPIインターフェース、書き込み動作に遅延なし、低消費電力、最大10年間のデータ保持、最大10^10回書き込み耐久性

製品性能

33MHzの高速読み書き速度、データの信頼性と整合性

技術仕様

メモリサイズ:128Kb(16K x 8)、供給電圧:2.7V〜3.6V、メモリタイプ:FRAM、インターフェース:SPIシリアル、速度:33MHz、メモリ形式:FRAM

寸法、形状、およびパッケージング

8-SOICパッケージ、幅:3.90mm、パッケージ:チューブ

品質と信頼性

長期データ保持、高いサイクル耐久性

製品の利点

即時不揮発性ストレージ、バッテリー用途における低消費電力、放射線および磁場に対する耐性

製品の競争力

産業用および自動車用アプリケーションに適している、過酷な環境でも高い信頼性、従来のEEPROMおよびフラッシュメモリと競合

互換性

SPIプロトコルシステムと互換性あり

標準認証とコンプライアンス

半導体製品のJEDEC基準を満たす

寿命と持続可能性

高い書き込み耐久性を有して持続可能、FRAM技術により操作寿命が延長

実際の応用分野

自動車エレクトロニクス、産業用オートメーション、データ収集システム、コンシューマーエレクトロニクス、メーターおよびスマートグリッドシステム

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